CFET与埋入式电源轨技术突破 芯片面积减半能效提升

随着半导体产业迈向先进制程节点，CFET（互补场效应晶体管）与埋入式电源轨技术的协同创新成为行业焦点。该技术通过垂直堆叠N型和P型晶体管实现更高集成密度，同时将电源线嵌入芯片内部以降低寄生电感和电阻，从而显著缩小芯片面积并提升功率效率。多家企业对此展开深入研究：Synopsys强调agentic AI系统可优化工程设计流程；Cadence提出通过系统化协调提升整体效率；Keysight呼吁加速6G架构原型开发；Arm展示AMBA C2C技术扩展芯片间互联协议支持异构计算。此外，SEMI关注可持续半导体技术进步，Infineon演示分布式非易失性存储器满足功能安全需求，Rambus阐述根信任机制构建平台安全体系，Cadence提出超越RTL的新设计方法提高开发效率。总体而言，CFET与埋入式电源轨技术的融合为下一代先进制程提供关键解决方案，助力高性能计算领域发展。