长鑫存储加速4F² DRAM开发 2026年底推混合键合DDR5 RDIMM

长鑫存储在第四届集成芯片和芯粒大会上披露，其4F² DRAM单元结构研发已取得关键进展，预计2026年底正式推出融合自研VSG垂直包围栅晶体管、4F²架构与晶圆级混合键合技术的新一代DDR5 RDIMM服务器内存。该架构将传统6F²单元压缩至4F²（2F×2F），理论单元密度提升30%至50%。为应对10nm以下节点漏电与短沟道效应问题，公司自主研发VSG晶体管，通过三维环绕栅极增强沟道控制力，有效抑制漏电并保障数据可靠性。针对外围逻辑电路工艺受限问题，长鑫采用DRAM与CMOS工艺解耦+晶圆级混合键合的三维集成路径，已于2025年完成12英寸晶圆平台键合实验验证，关键技术全部打通。公司选择高门槛的服务器市场首发，凸显技术自信与国产替代战略意图。目前长鑫已形成G5平台量产、LPDDR6同步推进、4F²前瞻布局的梯次技术体系，公开专利超300件，进度显著快于三星等国际厂商预期的2028年节点。此举有望打破高端RDIMM长期被美光、三星、SK海力士垄断格局，推动中国存储芯片自主可控纵深发展。