基辛格称HBM为AI灾难 位密度低散热差致6堆上限难突破

英特尔前CEO帕特·基辛格在近期专访中重申对高带宽内存（HBM）的尖锐批评，称其为“丑陋的内存”，并指出其对AI这类内存计算密集型负载构成“灾难”。他聚焦三大技术瓶颈：一是位密度显著低于传统DRAM，HBM3E单堆32GB容量占用面积远超同容量平面DRAM；二是“海岸线带宽”限制——HBM3/3E采用1024位宽总线，HBM4升至2048位，需大量芯片边缘I/O焊盘，导致GPU最多仅能集成6堆HBM（如H100与Blackwell架构均维持此上限）；三是热问题严峻，单堆功耗超30W时PHY焦耳热主导热应力，垂直堆叠易形成“热三明治”，DRAM结温升高将大幅降低数据保持可靠性。基辛格强调，尽管HBM是当前最优解，但行业亟需替代路径。高盛研报指出高带宽闪存（HBF）有望缓解内存墙，预计GPU采用率达15%–50%时市场规模可达400亿–1500亿美元；三星已展示HBF原型并联合AMD演示CXL内存池化，同时推进HBM5与存算一体；英特尔依托Foveros 3D封装与RibbonFET探索近存计算；台积电则推动晶圆级集成将SRAM嵌入逻辑单元下方。市场亦反应明显，10月13日SK海力士、美光、西部数据存储股集体下挫，反映投资者对HBM单一依赖逻辑的修正。目前巨头均已设立后HBM专项团队，短期HBM4/HBM5仍为主流，长期共识指向组合创新而非银弹方案。