SK海力士以大连Mod B扩产换美建厂许可 申请出口美制设备

SK海力士正推动一项关键策略：将中国大连NAND闪存工厂设备扩容与美国新建晶圆厂计划绑定，要求美方优先批准向大连厂区出口更多美制半导体设备，并以此作为推进美国投资的前提条件。其美国子公司Solidigm已向美国商务部提交新一轮出口许可申请，目标是引入泛林集团、应用材料和科磊等供应商设备，用于大连工厂Mod B区域——该区域2023年已完成土建但因市场低迷长期闲置，现拟在不突破原设计产能上限前提下完善设备配置，快速提升短期供应能力。行业数据显示，自2023年中期以来，NAND闪存价格累计上涨约七倍，主因AI数据中心建设带动需求激增，供需紧平衡预计持续数年。相较新建晶圆厂需3–5年及数十亿美元投入，激活大连Mod B可在数月内实现增量产出，既填补美国新厂投产前缺口，又为后续扩张提供现金流支持。目前Solidigm正评估在纽约州北部建新NAND厂，并研究2025年IPO可能性。该策略依托美方对成熟制程NAND管控相对宽松的政策空间——大连产品主要用于企业级SSD，未直接涉及尖端AI芯片制造。与此同时，SK海力士在韩国加速龙仁与光州园区建设，龙仁项目完工时间提前至2033年；HBM4部分后道设备订单推迟至2027年，资源转向通用DRAM以维持产能利用率。美国商务部尚未公开回应出口申请，但此举凸显地缘政治夹缝中跨国芯片企业通过‘中产美建韩聚’三地协同寻求平衡的典型路径，其可持续性高度依赖政策窗口稳定。