三星泰勒第二晶圆厂2026年11月动工 面积为一期1.5倍目标2030量产

三星电子于10月15日确认，将于2026年11月在得克萨斯州泰勒市正式启动第二座晶圆制造厂（Taylor Fab 2）建设，目标2030年实现量产。该厂规划建筑面积约270万平方英尺（约合25万平方米），体量为一期工厂的1.5倍。尽管具体制程节点尚未公布，但结合技术路线与市场需求，极可能聚焦2nm及以下先进逻辑工艺，以应对AI芯片需求持续增长。

泰勒第一座晶圆厂（Fab 1）目前正分阶段进行设备安装与工艺验证，已启用部分工具并采用EUV光刻技术生产2nm芯片，计划2026年底初步运营、2027年进入大规模量产。其核心客户为特斯拉，双方签署165亿美元长期协议（至2033年），涵盖AI6及下一代AI5芯片供应。

三星在德州总投资超370亿美元，其中获美国《芯片与科学法案》最高47.45亿美元补贴。Fab 2建设时点（2026年11月开工、2030年量产）精准匹配AI芯片需求下一波高峰预期，覆盖大模型推理端侧部署、自动驾驶SoC升级等场景。

值得注意的是，三星虽未披露Fab 2具体客户，但一期厂已获稳定订单支撑；二期厂推进节奏更趋谨慎，反映对前期延误的反思及对长期需求的信心。同期，台积电亚利桑那第二厂已进入设备搬入阶段，目标2027年Q3量产3nm，凸显美国本土产能扩张竞争加剧。