网通社科技快报
长鑫存储4F² DDR5 RDIMM年底量产 中国DRAM技术突破冲击韩系垄断
2026年10月9日至10日，第四届集成芯片和芯粒大会在上海举行，长鑫存储总裁曹堪宇宣布将于2026年底量产基于4F²架构的DDR5 RDIMM产品，采用自主研发的VSG（垂直环绕栅极）晶体管技术，通过三维结构提升栅极控制能力，有效抑制漏电流这一长期制约DRAM密度与功耗的关键瓶颈。公司已围绕该架构累计申请并公开超300件专利族，覆盖晶体管结构、工艺集成与可靠性测试等环节，标志中国DRAM厂商从产能追赶迈入架构定义新阶段。
技术路径上，长鑫选择绕开EUV等受限设备，聚焦单元级创新，在成熟制程下实现核心面积缩小与集成度提升，形成差异化竞争路线。合肥基地二期已于2025年全面投产，月产能达12万片12英寸晶圆；三期规划审批中，目标2027年实现月产20万片。长江存储在NAND领域的Xtacking 3.0技术亦为协同降本提供可能，国产材料与前道设备关键环节国产化率已超40%。
资本市场反应剧烈：消息披露后，三星电子与SK海力士股价持续承压，截至10月15日，KOSPI指数较6月高点回落39%，SK海力士跌幅尤为显著。韩国国民年金公团（NPS）持有二者合计约15%股份，2026年下半年仅这两只股票致其持仓市值蒸发131.1万亿韩元（约985亿美元），占其总损失182万亿韩元的72%；其权益资产估值由515.93万亿韩元缩水至333.53万亿韩元，首次出现季度持股市值下滑。
行业普遍认为，2027—2028年是格局重塑关键窗口期：中国厂商产能释放增强供给弹性，4F²若实现良率稳定爬坡，2027年Q2后有望形成成本优势。但需注意，长鑫在主流容量良率及HBM3E等高端领域尚未量产，SK海力士已率先量产HBM3E并与英伟达深度绑定，三星亦在GAA DRAM原型验证中取得进展。真正挑战在于将架构创新转化为客户导入与生态适配能力。
技术路径上，长鑫选择绕开EUV等受限设备，聚焦单元级创新，在成熟制程下实现核心面积缩小与集成度提升，形成差异化竞争路线。合肥基地二期已于2025年全面投产，月产能达12万片12英寸晶圆；三期规划审批中，目标2027年实现月产20万片。长江存储在NAND领域的Xtacking 3.0技术亦为协同降本提供可能，国产材料与前道设备关键环节国产化率已超40%。
资本市场反应剧烈：消息披露后，三星电子与SK海力士股价持续承压，截至10月15日，KOSPI指数较6月高点回落39%，SK海力士跌幅尤为显著。韩国国民年金公团（NPS）持有二者合计约15%股份，2026年下半年仅这两只股票致其持仓市值蒸发131.1万亿韩元（约985亿美元），占其总损失182万亿韩元的72%；其权益资产估值由515.93万亿韩元缩水至333.53万亿韩元，首次出现季度持股市值下滑。
行业普遍认为，2027—2028年是格局重塑关键窗口期：中国厂商产能释放增强供给弹性，4F²若实现良率稳定爬坡，2027年Q2后有望形成成本优势。但需注意，长鑫在主流容量良率及HBM3E等高端领域尚未量产，SK海力士已率先量产HBM3E并与英伟达深度绑定，三星亦在GAA DRAM原型验证中取得进展。真正挑战在于将架构创新转化为客户导入与生态适配能力。