网通社科技快报

西门子英伟达集成cuLitho使光刻OPC提速12倍 全芯片掩模优化进入小时级时代

西门子EDA与英伟达于2026年10月14日宣布深化合作,将NVIDIA cuLitho计算光刻库深度集成至Calibre制造验证平台,重点攻克先进制程中光学邻近效应校正(OPC)的算力瓶颈。该方案在全芯片尺度OPC工作负载上实现最高12倍加速,使复杂掩模优化从传统数天缩短至小时级,工程可行性大幅提升。cuLitho依托CUDA-X架构重构电磁场求解、图像重建等密集计算模块,支持高精度仿真同时满足严苛CD控制要求,适用于HBM3e、Chiplet等先进封装结构的掩模生成。目前Calibre已开放cuLitho API调用,客户可无缝启用GPU加速;台积电、三星等头部代工厂正评估其在2nm节点试产线的应用。硬件层面,方案已在搭载Blackwell B200的服务器集群完成千兆像素级掩模全流程验证,依赖Grace Hopper与B200的高带宽显存及FP8稀疏计算能力。此举是英伟达“AI定义晶圆厂”战略关键一环,配合cuPotential、cuEST、cuDSS等新库,构建覆盖材料设计到工艺优化的全栈加速体系。行业影响上,OPC周期由2–3周压缩至1–2天,助力缩短工艺开发与tape-out周期;挑战仍存,包括老旧EDA流程兼容性、可制造性验证瓶颈及GPU成本门槛。Cadence与新思科技亦同步推进CUDA-X工具链建设,GPU加速正快速成为高端EDA标配。