网通社科技快报
ASML佳能尼康扩产30% 光刻机订单排至2030 国产EUV攻关进入关键期
ASML在2024年Q3财报中披露，客户对2027–2028年光刻机预订单已超现有扩产能力，部分核心客户开始咨询2029–2030年供货配额。为应对需求，ASML计划2025年将低数值孔径EUV与浸没式DUV产能各提升30%，并探索2027年进一步扩产可能；2024年低NA EUV预计交付约65台，NXT:1980i等DUV机型因需求回升维持上年交付水平。服务与选件收入达33亿欧元，超预期4亿，主要来自设备升级带来的晶圆处理量提升。技术迭代同步推进：NXE:3800F将于2027年初小批量推出，处理量由230片/小时升至260片；下一代浸没式DUV目标达330片/小时。
佳能10月21日宣布2025年半导体光刻设备产量最高接近2024年两倍；尼康10月13日发布数字光刻设备DSP-110，计划2027年4月发售，并转向先进封装市场。三方扩产均由AI算力驱动：美光1γ工艺DRAM已量产，1δ工艺2027年下半年放量；ASML预计2024年存储客户设备销售额增长75%，逻辑芯片客户增10%。
中国市场加速布局：2023–2025年中国年均采购ASML设备超60亿欧元，2024年近90亿；截至2026Q1，累计接收浸没式DUV 343台，其中NXT:1980i占270台，占比从2022年26%升至2024–2026年初60%–70%；长鑫、长江存储已储备支撑三年生产的DUV库存。国产替代稳步推进：上海微电子实现90nm–28nm DUV整机交付，部分模块达193nm波长亚纳米级控制；北方华创、中微公司在刻蚀与薄膜沉积环节国产化率2025年超50%。余承东曾表示国产EUV可期，目前多个项目处于原理样机集成与分系统联调阶段，采用LPP光源、多层膜反射镜、六自由度工件台等主流架构；国家大基金三期落地与产学研协同正加速攻关进程。
佳能10月21日宣布2025年半导体光刻设备产量最高接近2024年两倍；尼康10月13日发布数字光刻设备DSP-110，计划2027年4月发售，并转向先进封装市场。三方扩产均由AI算力驱动：美光1γ工艺DRAM已量产，1δ工艺2027年下半年放量；ASML预计2024年存储客户设备销售额增长75%，逻辑芯片客户增10%。
中国市场加速布局：2023–2025年中国年均采购ASML设备超60亿欧元，2024年近90亿；截至2026Q1，累计接收浸没式DUV 343台，其中NXT:1980i占270台，占比从2022年26%升至2024–2026年初60%–70%；长鑫、长江存储已储备支撑三年生产的DUV库存。国产替代稳步推进：上海微电子实现90nm–28nm DUV整机交付，部分模块达193nm波长亚纳米级控制；北方华创、中微公司在刻蚀与薄膜沉积环节国产化率2025年超50%。余承东曾表示国产EUV可期，目前多个项目处于原理样机集成与分系统联调阶段，采用LPP光源、多层膜反射镜、六自由度工件台等主流架构；国家大基金三期落地与产学研协同正加速攻关进程。