网通社科技快报
英飞凌获欧盟3.19亿欧元补贴建全球首座300mm氮化镓量产厂
英飞凌科技股份公司近日宣布，将在奥地利菲拉赫基地建成全球首座基于300毫米晶圆的氮化镓（GaN）功率半导体大规模量产工厂。该项目总投资约11亿欧元，其中欧盟委员会批准提供3.19亿欧元国家补贴，用于强化欧洲半导体技术主权。产线依托现有洁净室设施改造升级，计划2027年底前启动首批产品交付。
氮化镓作为第三代半导体材料，具备高电子迁移率、宽禁带与强击穿电场特性，相较硅基器件可显著降低开关损耗，提升电源系统效率。此前GaN主要采用200mm晶圆制造，产能受限；300mm晶圆面积为200mm的2.25倍，理论芯片产出提升约2.3倍。英飞凌已于2024年完成全球首片300mm GaN晶圆工艺验证，并整合2023年收购的GaN Systems技术，在衬底处理、MOCVD外延及金属化环节取得突破，解决大尺寸晶圆均匀性与良率难题。
该产线首要服务高能效场景：包括英伟达800V AI数据中心供电方案——GaN可将电源整机效率从94%提升至97%以上，单机架年节电量达数万度；同时覆盖电动汽车OBC/DC-DC模块、工业变频器及光伏逆变器等。Yole预测，全球功率GaN市场将从2025年6亿美元增至2031年35亿美元，CAGR达35%。
项目具战略意义：奥地利称其为“高科技史上最大单笔投资之一”，助力欧盟《芯片法案》实现2030年本土产能占比20%目标。当前GaN芯片单价仍为硅基3–5倍，但随产出提升与设备折旧摊薄，单位成本有望2–3年内趋近硅基水平，推动中功率快充（65W–300W）渗透率2028年超40%。英飞凌凭借垂直整合与政策支持率先落地，后续竞争聚焦缺陷控制、铜互连可靠性与晶圆级测试效率优化。
氮化镓作为第三代半导体材料，具备高电子迁移率、宽禁带与强击穿电场特性，相较硅基器件可显著降低开关损耗，提升电源系统效率。此前GaN主要采用200mm晶圆制造，产能受限；300mm晶圆面积为200mm的2.25倍，理论芯片产出提升约2.3倍。英飞凌已于2024年完成全球首片300mm GaN晶圆工艺验证，并整合2023年收购的GaN Systems技术，在衬底处理、MOCVD外延及金属化环节取得突破，解决大尺寸晶圆均匀性与良率难题。
该产线首要服务高能效场景：包括英伟达800V AI数据中心供电方案——GaN可将电源整机效率从94%提升至97%以上，单机架年节电量达数万度；同时覆盖电动汽车OBC/DC-DC模块、工业变频器及光伏逆变器等。Yole预测，全球功率GaN市场将从2025年6亿美元增至2031年35亿美元，CAGR达35%。
项目具战略意义：奥地利称其为“高科技史上最大单笔投资之一”，助力欧盟《芯片法案》实现2030年本土产能占比20%目标。当前GaN芯片单价仍为硅基3–5倍，但随产出提升与设备折旧摊薄，单位成本有望2–3年内趋近硅基水平，推动中功率快充（65W–300W）渗透率2028年超40%。英飞凌凭借垂直整合与政策支持率先落地，后续竞争聚焦缺陷控制、铜互连可靠性与晶圆级测试效率优化。