长鑫科技完成4F²垂直沟道DRAM工程样片验证 首代DDR5 RDIMM年底送样

长鑫科技于2026年第三季度确认其第六代DRAM工艺平台已完成工程样片验证，该平台首次采用4F²垂直沟道架构，核心性能指标在真实晶圆上达到设计预期，标志技术正式进入客户端联合测试阶段，后续通过验证后可转入规模量产。4F²架构通过垂直堆叠晶体管与优化布线，将存储单元面积压缩至传统6F²方案的约三分之二，理论位密度提升50%，为应对光刻微缩瓶颈提供新路径。尽管美光曾质疑该路线可行性，长鑫强调技术选择源于自身产线适配与战略定位差异。当前第五代G5平台已量产LPDDR5X，2026年8月底实现LPDDR6全球首发，速率12800 Mbps，带宽提升60%、功耗降20%，支撑三季度营收1187.14亿元、净利润889.83亿元，毛利率达89.53%。公司同步推进首款4F² DDR5 RDIMM开发，融合自研VSG垂直包围栅晶体管与混合键合技术，计划2026年底前向AI服务器客户送样，优先切入高附加值企业级市场。2026年前三季度研发投入110.71亿元，同比增长73.03%，覆盖EUV预研、3D堆叠及新材料探索。长鑫形成G5稳产、LPDDR6卡位端侧AI、4F²布局下一代的阶梯式技术体系，若验证顺利，首批产品有望2027年上半年小批量出货。