特斯拉发布SI6与Dojo D3芯片路线图 性能提升80倍转向HBM堆叠架构

特斯拉正式披露AI加速器技术路线图，将芯片命名体系由AI系列全面更新为SI（Super Intelligence）系列，同步推进推理与训练芯片迭代。第六代推理芯片SI6采用2nm工艺，整数算力达17,280–46,080 TOPS，相较SI4（72 TOPS）提升80倍，主要得益于8倍硅片利用率优化与144GB GDDR7级内存带宽增强；过渡型号SI5已在3nm/2nm混合工艺下实现40倍性能提升，并引入多芯粒模块（MCM）封装。训练芯片Dojo D3彻底放弃前代SRAM中心架构，转向TBA工艺节点的芯粒模块，结合2.5D+3D先进封装与堆叠HBM内存，目标片上带宽约10TB/s，显著提升千亿参数模型训练效率与扩展性。该路线图体现特斯拉软硬一体战略深化：自2019年启动FSD芯片研发以来，已构建覆盖算法、训练、推理与芯片设计的全栈能力。SI6计划采用台积电3nm与三星2nm混合制程以保障产能与良率，Dojo D3则侧重能效比优化，适配分布式大模型训练需求。命名变更反映其技术目标超越传统AI，指向系统级自主智能，与Optimus、Robotaxi及SpaceXSI形成统一技术底座。SI5预计2026年末搭载Model Y HW5平台，SI6与Dojo D3将于2027年Q2量产，后续或开放Dojo算力服务。需注意2nm工艺尚未大规模商用，多芯粒互连延迟、热管理等工程挑战仍待验证；芯片效能释放高度依赖其超100亿公里真实道路数据与仿真闭环能力。