花旗预测2027年DRAM缺货率达3.8% 价格或再涨40%50%

花旗银行最新报告预测，2027年全球DRAM供需缺口将扩大至3.8%，创2012年以来新高；2028年微降至3.6%，2029年短暂缓解至0.3%，但2030-2031年缺口再度升至2.2%-2.4%。值得注意的是，即便全球DRAM产能在2031年达2025年的3倍，仍难匹配需求增速。过去一年内存价格已上涨5至10倍，其中HBM3较2023年涨超15倍，部分定制型号单价突破2000美元/颗；DDR4模组反弹约6倍，DDR5 UDIMM涨8–10倍。2025年Q1至Q3，DRAM ASP累计上涨62%，显著高于NAND Flash的28%。价格上涨主因并非单纯供需失衡：2025–2026年市场实际略有过剩（S/D比率为+0.5%至+1.1%），但AI服务器、高性能计算及边缘设备对高带宽大容量DRAM需求激增，叠加晶圆厂扩产周期长、EUV设备交付受限（2025年不足百台）、先进制程研发难度高，导致高阶有效供给弹性严重不足。单台AI训练服务器平均配备512GB–2TB DDR5/HBM，较传统提升5–10倍；2024年全球AI服务器出货量同比增超120%，带动DRAM位元需求增长约35%，而月产能仅增12%。三星、SK海力士与美光2024下半年加大资本开支，聚焦EUV导入与3D堆叠，但能量产HBM3E的产线全球不足10条。厂商已对OEM客户执行季度阶梯提价（5%–8%），花旗模型显示若2027年缺口达3.8%，叠加利润修复诉求，均价或再涨40%–50%。长期看，行业正从规模驱动转向技术+应用双轮驱动，终端用户短期内难以期待价格回落，PC厂商与云服务商正通过固件优化、混合内存架构等方式缓解成本压力，但仅能延缓而非逆转涨价趋势。