网通社科技快报
华邦电子董事长预警DRAM涨价触顶 2026年终端销量将显著下滑
华邦电子董事长焦佑钧近日公开警示,DRAM内存涨价已触及天花板,当前厂商毛利率高达70%-80%,但高毛利难以长期维系。他强调,若价格继续攀升,将直接压抑手机与PC等传统终端需求,最终受限于消费者购买力——“万事皆有极限,最终极限就是消费者没有钱”。IDC数据显示,2026年Q3全球智能手机出货量同比下滑15.2%至约5806万台,PC市场亦持续疲软;若内存成本进一步推高,用户换机周期延长将形成负反馈循环:终端销量下降→整机厂压价→上游订单萎缩→厂商被迫维持高价→需求进一步受抑。
焦佑钧两年前即预判本轮DRAM上升周期约为两年,若以2025年7月为起点,预计2027年6月见顶;若人为拉长至2028或2029年,后续恐面临长达四年的深度修正期。花旗报告虽预测2027年DRAM供需缺口达-3.8%(十年来最严峻),但指出2025–2026年实际产能略有过剩,价格飙升主因AI服务器需求成为定价锚点,消费电子需求弹性被压缩。
产业呈现明显分化:AI服务器OEM对成本容忍度高,而中低端手机、入门PC及IoT厂商承压严重,部分小众品牌已出现单机内存成本超售价30%的“成本倒挂”。技术层面,DDR5成主流,HBM3e在AI芯片渗透加速,高端与消费级DRAM正走向“双轨制”。三星、SK海力士、美光等头部厂商已转向优化产品结构,减少标准DDR供应,增加HBM与LPDDR5X占比,但无法逆转消费电子需求疲软大势。焦佑钧呼吁行业理性看待景气高峰,警惕过长繁荣期导致扩产误判,重演2019年式产能过剩危机。
焦佑钧两年前即预判本轮DRAM上升周期约为两年,若以2025年7月为起点,预计2027年6月见顶;若人为拉长至2028或2029年,后续恐面临长达四年的深度修正期。花旗报告虽预测2027年DRAM供需缺口达-3.8%(十年来最严峻),但指出2025–2026年实际产能略有过剩,价格飙升主因AI服务器需求成为定价锚点,消费电子需求弹性被压缩。
产业呈现明显分化:AI服务器OEM对成本容忍度高,而中低端手机、入门PC及IoT厂商承压严重,部分小众品牌已出现单机内存成本超售价30%的“成本倒挂”。技术层面,DDR5成主流,HBM3e在AI芯片渗透加速,高端与消费级DRAM正走向“双轨制”。三星、SK海力士、美光等头部厂商已转向优化产品结构,减少标准DDR供应,增加HBM与LPDDR5X占比,但无法逆转消费电子需求疲软大势。焦佑钧呼吁行业理性看待景气高峰,警惕过长繁荣期导致扩产误判,重演2019年式产能过剩危机。