网通社科技快报
DRAM持续紧缺NAND分化 存储模组厂暴利终结毛利率回归常态
存储芯片市场自2026年第三季度起进入价格高原期，DRAM与NAND Flash均难涨难跌，模组厂商依赖低价库存与价差套利的高毛利时代正式终结。创见董事长束崇万指出，模组厂前期积累的低价库存已基本消化完毕，未来毛利率将逐季回归正常水平。原厂方面，三星、SK海力士、美光等通过控量保价维持价格体系，宁可牺牲出货量也不愿降价，客户端则转为按需采购，形成供需拉锯。
供需结构加速分化：DRAM持续紧缺，2027年上半年原厂供货配额仍显不足，10月通用型DRAM（DD8Gb）合约价达27.5美元，环比上涨5.77%，机构预计Q4 PC DRAM价格仍将环比上涨13%至18%；NAND则呈现成熟制程松动迹象，消费级闪存涨价动力减弱，渠道端已有松动。分化主因在于产能配置偏移——AI基建推动HBM与高容量服务器DRAM需求爆发，原厂优先保障高附加值产品，传统消费级DRAM被动涨价。
新增产能释放滞后：2023–2025年行业下行导致投资收缩，虽2026年各大厂纷纷扩产，但新建产线需两年周期，预计2027年下半年才逐步落地，且仍聚焦数据中心市场。长鑫存储份额升至9%，已量产LPDDR6，但HBM领域仍处追赶阶段，计划2027年量产HBM3E，而韩厂将迈入HBM4时代。
下游影响显现：PC与手机内存成本持续攀升，品牌商或提价或压缩其他BOM成本；模组厂转向定制化服务与供应链协同以弥补硬件利润下滑。当前“稳价”实为原厂主动控量结果，若AI PC大规模普及等需求超预期反弹，价格仍有上行风险。真正拐点或待2027年下半年新增产能释放叠加终端市场复苏信号出现。
供需结构加速分化：DRAM持续紧缺，2027年上半年原厂供货配额仍显不足，10月通用型DRAM（DD8Gb）合约价达27.5美元，环比上涨5.77%，机构预计Q4 PC DRAM价格仍将环比上涨13%至18%；NAND则呈现成熟制程松动迹象，消费级闪存涨价动力减弱，渠道端已有松动。分化主因在于产能配置偏移——AI基建推动HBM与高容量服务器DRAM需求爆发，原厂优先保障高附加值产品，传统消费级DRAM被动涨价。
新增产能释放滞后：2023–2025年行业下行导致投资收缩，虽2026年各大厂纷纷扩产，但新建产线需两年周期，预计2027年下半年才逐步落地，且仍聚焦数据中心市场。长鑫存储份额升至9%，已量产LPDDR6，但HBM领域仍处追赶阶段，计划2027年量产HBM3E，而韩厂将迈入HBM4时代。
下游影响显现：PC与手机内存成本持续攀升，品牌商或提价或压缩其他BOM成本；模组厂转向定制化服务与供应链协同以弥补硬件利润下滑。当前“稳价”实为原厂主动控量结果，若AI PC大规模普及等需求超预期反弹，价格仍有上行风险。真正拐点或待2027年下半年新增产能释放叠加终端市场复苏信号出现。