英飞凌全球首发300mm碳化硅晶圆量产 单片芯片产出提升2.3倍

英飞凌近日宣布，其位于奥地利菲拉赫的生产基地已成功完成300毫米（300mm）碳化硅（SiC）功率器件晶圆的功能性制造流程，成为全球首家实现该技术落地的半导体企业。此举标志着300mm SiC晶圆正式进入量产准备阶段，较当前主流200mm晶圆表面积增加约125%，理论单片芯片产出达2.3倍，显著提升产能效率与单位成本优势。

该产线已完成外延生长、光刻、刻蚀、金属化及测试等完整工艺闭环，具备向客户交付功能性样品及小批量产品的能力。同步在德国德累斯顿工厂验证的“冷分片”技术，通过机械方式替代传统切割，在晶锭切片阶段实现更精准厚度控制，材料转化率提升约15%，单片处理时间缩短30%，并降低设备资本支出，对高成本SiC衬底具有重要经济价值。

碳化硅作为第三代半导体核心材料，凭借高禁带宽度、高击穿电场与高热导率特性，在电动汽车牵引逆变器、OBC、直流快充、工业电机驱动、光伏逆变器及数据中心电源等领域优势显著。据Yole预测，2028年SiC功率器件市场规模将超80亿美元，其中汽车占比超60%。

英飞凌跳过200mm过渡阶段直接推进300mm量产，体现其在晶体生长、外延沉积与工艺集成方面的深厚积累。公司坚持“多材料平台”战略，覆盖Si、GaN与SiC全产品线，并采用“按需选材”策略适配不同应用场景。目前其300mm产线正逐步爬坡，目标于2026年前实现主力型号批量交付，推动SiC器件在中功率段加速渗透。