华邦电子2030年导入EUV光刻 两代14nm DRAM工艺同步推进

华邦电子正加速先进制程布局，明确将于2030年在14nm DRAM产品中导入极紫外光刻（EUV）技术。公司已与ASML合作约三年半，派遣工程师赴荷兰接受培训，并开展早期试跑；首台EUV设备预计两年内交付，后续因交期紧张或需等待三年半，企业已提前锁定订单。为匹配该节点，华邦电子位于高雄的新晶圆厂（Module B）已于2026年12月动工，总投资超700亿新台币，计划2029年运营、2030年量产。技术路径上，公司并行推进两代14nm DRAM工艺：一代采用传统DUV多重曝光，另一代整合EUV，以减少关键层曝光次数、提升良率与制造效率。EUV在DRAM中尤其适用于HBM、LPDDR5X等高密度结构的金属互连与电容阵列图案化。当前华邦主力产线仍集中于16nm平台，2026年11月将推出扩充版16nm产品线，覆盖车载、AI-ISP与服务器外设；同时通过CUBE-Lite半定制方案切入边缘AI市场，目标2027年上半年量产。行业层面，南亚科亦规划2027年下半年投产Fab 5A并纳入EUV路径，而三星、SK海力士仍是EUV采购主力，导致ASML2027–2028年产能紧张。华邦选择2030年节点，既规避设备紧缺风险，也为工艺成熟预留缓冲期；其EUV应用可能聚焦字线/位线等关键层，非全工艺覆盖，以平衡成本。设备延迟或致量产推后，公司强调“提前下单”为关键应对策略。此举标志EUV技术从逻辑芯片向中型DRAM厂商扩散，反映台湾存储业借技术自主寻求突围的战略转向。