台积电批准409亿美元资本预算 加码2nm与先进封装产能

台积电董事会于2026年11月10日核准总额约409.27亿美元的年度资本预算，较2025年400亿美元进一步提升，主要用于先进制程、先进封装、成熟/特殊制程产能扩建、厂房建设及2027年研发支出。其中，先进制程部分明确聚焦2nm及以下节点量产准备，包括GAA晶体管结构客户验证与设备导入；先进封装方面，将扩充CoWoS、InFO、SoIC等产能，新建专用厂房以应对英伟达Blackwell等平台需求，目标2027年支撑3D IC与Chiplet集成。成熟制程则侧重车规MCU、电源管理IC等领域，在南京、新加坡、日本熊本二期及美国亚利桑那Fab 21 Phase 2同步推进，形成“近岸+友岸+本土”三轨布局。本次预算还首次披露战略投资动作：设立上限5亿美元的独立投资公司，并计划各出资不超过5亿美元参与Anthropic IPO及认购OpenAI优先股，旨在绑定头部大模型厂商、提前锁定算力芯片订单并影响架构适配。资本开支占营收比维持约30%，延续稳健扩张策略；相较三星转向存储主导，台积电坚持逻辑芯片优先路线。设备端受益于ASML High-NA EUV长交付周期下的提前锁定，封测环节则面临台积电自封装能力增强带来的竞争压力。整体体现其“预防性扩产”逻辑与全球半导体话语权巩固意图。