豪雅EUV掩膜2027年产能见顶 三星DRAM扩产受阻致涨价潮延续

AI需求推动内存价格攀升，但关键材料空白EUV掩膜供应紧张正制约三星电子先进DRAM扩产。日本豪雅（HOYA）占据全球70%–75%市场份额，目前对三星供应占比超90%，而其2027年产能已满负荷，无法应对三星制程从1b向1c、1d升级带来的需求激增——单颗DRAM所需掩膜数将由1b的4–5片升至1d的约10片，2026年三星预计消耗5500张，未来三年年复合增长率约25%。豪雅虽于2026年4月宣布投资420亿日元在新加坡建新厂，但产能要到2028财年才能释放，短期无解。韩国S&S Tech产品进入最终评估阶段，虽薄膜特性达标，但在颗粒控制等关键指标仍需优化，导入至量产通常需12–18个月，难解燃眉之急。掩膜交期延迟直接拖累光刻环节，即便设备与厂房到位，产线亦无法满载运行。叠加HBM等高毛利产品挤占22%晶圆投片却仅贡献9%位元供给，通用DRAM供给进一步收紧。TrendForce数据显示，2026年10月DDR 8Gb合约价达27.5美元，环比涨5.77%，较2016年基准涨约9.5倍；企业级SSD同步涨15%–20%。结构性短缺使涨价呈现分化：AI与服务器内存持续走强，消费级市场动力减弱。2027年供需失衡几成定局，DRAM价格高位或延续至2028年后。