英伟达HBM降层至8层推NVHBM定制 3D DRAM联合台积电攻关

2026年11月12日，英伟达宣布创始人兼CEO黄仁勋即刻卸任，由CFO科莱特·克雷斯暂代职务，引发市场震荡，股价单日跌4.34%，市值蒸发1817亿美元。核心担忧在于其主导的AI内存战略能否延续。当前，英伟达正推动HBM从12层转向8层堆叠，以减少DRAM裸片用量、缓解产能约束，并为定制高带宽接口腾出GPU空间。公司同步推出NVHBM方案，要求内存厂商提升单I/O引脚速率，理论带宽较HBM4e最高提升30%，实质挑战JEDEC标准体系。技术动因源于AI推理负载特性：GB300相较H100推理容量提升25倍，但FP8算力仅增2.5倍，凸显带宽比容量更稀缺。中期层面，英伟达已联合台积电研发3D DRAM，探索d-Matrix提出的DRAM-on-Logic架构，目标实现100TB/s级带宽，但单卡容量仅32GB，仍需传统HBM补足大容量需求。长期则押注晶体管级3D DRAM，预计5年后成熟。此外，公司通过BlueField-4 DPU构建CMX上下文存储层，尝试在系统级解耦权重与KV缓存存储。黄仁勋离任使该多线并行策略的执行敏捷性存疑，Rubin量产节奏、NVHBM落地及d-Matrix合作进展将成为关键观测点，影响整个‘达链’供应链及AMD等竞争者格局。