金灿荣称国产设备突破将动摇台积电优势 7纳米量产与逻辑折叠成关键路径

中国人民大学教授金灿荣近日表示，中国大陆芯片制造当前性能暂逊于台积电，核心制约在于高端设备依赖进口；一旦国产DUV与EUV光刻设备实现突破，台积电的领先优势将难以维持。目前，中国在非EUV工艺节点已具备独立建线能力：上海微电子干式光刻机已投入量产，累计曝光超千万片晶圆，核心部件全部国产化；7纳米芯片实现规模化量产，支撑高性能计算与AI应用。面对EUV短期难突破现实，华为提出“逻辑折叠”技术，通过铜对铜混合键合垂直堆叠芯片单元，在不缩小线宽前提下提升能效，适用于AI推理与边缘计算场景。设备仍是关键前提，国内正推进193nm ArF浸没式DUV工程化验证，光源、物镜、双工件台等子系统取得进展；EUV处于原理样机与关键部件攻关阶段。产业链协同加速：华大九天EDA支持28纳米全流程设计，盛美上海、北方华创在薄膜沉积、刻蚀等领域市占率提升。金灿荣强调，设备、工具链与生态构成当前芯片话语权三大支柱，中国正以“设备先行+制造跟进+生态反哺”策略破局。尽管台积电在良率、客户绑定与资本投入上仍有优势，但国产代工已在中高端逐步渗透，未来2—3年国产DUV进入主流晶圆厂验证线将成为重要风向标。