中国存储产能占比2030年将达20%长鑫存储等企业加速布局

9月21日，韩国业内发布报告称，预计到2030年，中国存储器生产能力在全球市场的占比将达到约20%，而当前这一比例约为10%出头。这意味着全球每生产5片DRAM晶圆，就有1片来自中国。这一增长趋势被韩媒视为对三星电子和SK海力士等传统存储巨头的重大挑战。

作为中国存储产业的领军企业，长鑫存储（CXMT）近年来动作频频。该公司近期宣布已开始量产下一代移动DRAM LPDDR6，并实现了被称为"G5"的约15纳米级工艺量产。同时，CXMT还在与中国服务器企业合作，持续推进HBM（高带宽内存）的量产验证，显示出其正从传统存储器产品向AI相关高端市场拓展的战略意图。

与CXMT类似，NAND厂商长江存储（YMTC）也在加速推进产能扩张和技术升级。两家企业的扩产计划不仅限于单纯增加产能，而是同步推进面向AI基础设施的高附加值存储产品的研发和量产。这种双轨并行的发展模式，使得中国存储企业在技术迭代和市场布局上都展现出强劲的增长势头。

TechInsights首席战略官Dan Kim指出，中国政府主导的资本投入为中国存储产业提供了持续发展的动力，且其投资模式受行业周期波动的影响相对较小。按照这一判断，中国在全球内存生产能力中的占比将从今年的10%出头提高至2030年的20%，达到一个更加明显的水平。

相比之下，韩国存储器产业目前仍由三星电子和SK海力士等企业占据重要位置。然而，随着AI基础设施需求的快速增长，全球存储器市场正进入高景气周期。TechInsights预计，今年全球内存整体销售额约为9000亿美元，主要企业营业利润率最高可能接近80%。

AI算力的爆发正在推动存储技术的全面升级。数据显示，全国先进存力规模已达640EB，政策目标2030年提升至1700EB；HBM、DDR5、3D NAND等技术加速迭代，AI服务器高带宽内存需求激增，云厂商通过长约锁定供应，支撑存储价格与厂商议价能力。

研报认为，AI正推动存储从配套环节升级为影响算力效率的关键基础设施。技术分层协同（如HBM满足AI高带宽、3D NAND承载海量数据）叠加供给向高附加值产品集中，将提升产业价值中枢。国产昇腾超节点、天玑端侧大模型芯片进展，进一步强化对高性能存储的刚性需求。算力基建提速，正打开存储芯片厂商的量价齐升空间。