长江存储德国胜诉，美光被禁售3DNAND相关产品

9月18日，德国慕尼黑第一地区法院就长江存储诉美光专利侵权案作出判决，认定美光侵犯了长江存储的两项德国实用新型专利权，并颁发禁令要求其在德国停止销售相关侵权产品。这一裁决标志着长江存储在全球范围内取得的首个实质性禁令救济，成为双方自2023年11月爆发专利战以来的重要转折点。

此次胜诉的核心技术涉及3D NAND闪存制造工艺的关键基础架构。其中一项实用新型DE202020006166U1指向阶梯结构，这是实现闪存高层数堆叠的关键技术；另一项DE202021004551U1则涉及字线接触阻挡层，直接影响存储单元阵列的信号传输可靠性。长江存储选择这两项基础架构技术作为突破口，显示出其在核心工艺领域的深度积累和专利布局能力。

面对这一判决，美光迅速回应称不认同法院裁决结果，并已提起上诉。美光强调涉案权利属于"未经实质审查"的德国实用新型，而非经过严格审核的专利，目前正通过法律程序挑战相关权利的有效性。美光同时重申，其在存储技术领域拥有超过6.2万项专利，将采取适当行动保护自身利益。

值得注意的是，长江存储的核心竞争力不仅体现在专利布局上，更在于其自主研发的Xtacking混合键合架构。资料显示，该技术已实现294层3D NAND量产，混合键合核心专利数量远超三星和SK海力士。更关键的是，三星电子已于2025年与长江存储达成专利许可协议，从第10代V-NAND开始获得长江存储混合键合技术的授权，这充分证明了该技术的不可替代性和市场价值。

当前全球存储器市场正处于严重缺货状态，AI及云端应用推升DRAM与NAND Flash需求急迫。据TrendForce数据，2026年二季度DRAM合约价环比上涨58%至63%，NAND环比涨幅达70%至75%。下游客户被迫寻求国产替代，为两家企业打入国际大厂供应链提供了难得窗口期。

然而，在行业迎来发展机遇的同时，中国两大存储巨头长江存储与长鑫存储却面临内部竞争加剧的局面。长江存储跨入LPDDR5 DRAM领域，计划于2026年底试产约2.5万片DRAM产能；长鑫存储则从DRAM反向切入NAND Flash，预计最快2028至2029年量产。业内人士指出，此时若陷入专利内耗，反而可能错失窗口期。

专家提醒，从各自的技术积淀到行业缺货带来的替代机遇，长江存储与长鑫存储面临的共同任务是如何在各自赛道持续突破，而非在专利战场上过早消耗彼此。合作，才是国产存储做大做强的正道。

目前禁令的实际执行效果仍取决于慕尼黑高等地区法院的后续裁定，如果法院在上诉程序中未暂停执行，长江存储将可启动执行程序。