三星12层HBM4E通过英伟达验证，AI内存市场竞争加剧

韩国媒体报道称，三星电子研发的下一代12层HBM4E高带宽内存（HBM4E）已成功通过包括英伟达在内的多家大型云服务商客户的质量验证。这一进展标志着三星在高性能AI存储领域迈出了重要一步，但目前尚未获得具体的供货合同。

根据韩媒《韩国经济》报道，三星内存部门于9月底完成了相关测试。不过，测试通过并不意味着已经签订供货协议，客户的具体订购数量、合同金额以及量产供货时间仍处于未确认状态。三星官方对此消息表示无法确认。

TechPowerUp网站将此次验证与英伟达下一代Rubin Ultra加速器联系起来，但原始报道仅提及英伟达和主要超大规模数据中心客户，并未明确说明测试针对的是Rubin Ultra。英伟达目前公开的Rubin GPU资料确认采用HBM4，最高配置为288GB、带宽最高22TB/s；尚未公布Rubin Ultra采用三星HBM4E的订单或认证细节，因此两者的对应关系仍属推测。

三星5月公布的HBM4E样品为12层堆叠、单堆栈48GB，标准引脚速度为14Gbps，并可扩展至16Gbps；按三星公布的数据，单堆栈带宽最高可达3.6TB/s，而在16Gbps上限下理论带宽约为4TB/s。公司还计划按客户需求扩展32GB的8层版本和64GB的16层版本，但这些规格不代表相应产品均已量产。三星称，HBM4E使用第六代10纳米级DRAM工艺（1c）和自家4纳米逻辑基底芯片；相较前代，低功耗设计和封装优化使能效提升16%、热阻降低逾14%。公司已于今年5月向主要客户寄送12层样品，并表示量产将配合客户进度安排；这与客户验证进展不同，现阶段仍不能据此认定三星已获得英达的量产供货订单。

业内分析认为，随着行业向新一代存储产品切换，在高性能AI存储赛道上，三星有望借此抢先扩大供货份额，与SK海力士（SKHY）、美光（MU）展开竞争。当前HBM4e采用12-Hi堆栈，最大容量48GB；此前激进规划的16-Hi堆栈容量可达64GB，但良率与成本压力更大。该产品DRAM芯片采用第六代10nm级1c工艺，基础芯片由4nm工艺生产，引脚速度达16Gbps，三星宣称性能较前代HBM4提升20%以上，通过低功耗设计与封装结构优化，能效提升16%以上。

按NVIDIA的规划，HBM4e将在明年出货的Rubin Ultra平台上正式启用，此前计划配备1TB HBM4e，但近期Rubin规格持续调整，最终配置仍有待确认。此前，本站曾报道过三星备战HBM4E散热、中介层面积持续膨胀，散热与封装都是下一代HBM落地的关键课题。

总体来看，三星HBM4E的成功验证为其在AI内存市场的竞争增添了砝码。然而，实际供货情况仍需等待英伟达及其他客户的进一步确认。随着AI计算需求的持续增长，高性能内存将成为各大厂商争夺的重点领域。