格罗方德与台积电签20亿美元协议，美国建硅中介层基地支持CoWoS先进封装

半导体行业迎来重要合作消息。10月8日，全球领先的晶圆代工厂格罗方德（GlobalFoundries）宣布与台积电（TSMC）达成一项总额达20亿美元的多年期制造协议。根据协议，格罗方德将在其位于美国纽约州马耳他的晶圆厂扩建产能，专门用于生产CoWoS先进封装所需的硅中介层产品。

这一合作项目具有里程碑意义。作为美国首个为先进封装技术提供硅中介层的供应商，格罗方德将填补美国高端芯片封装产业链的关键短板。协议初始期限为五年，并预留了未来随客户需求增长而扩大产能的弹性框架。

“先进封装对于实现下一代AI系统所需的性能、能效和规模变得越来越重要。”格罗方德CMOS业务高级副总裁Ed Kaste表示，“通过其值得信赖的制造服务，可以打造一个安全、可扩展的关键先进封装元件供应来源，帮助客户加速创新并强化半导体供应链。”

硅中介层是2.5D先进封装的核心组件，它位于处理器和内存芯片下方，通过硅通孔（TSV）技术实现高密度互连。随着AI芯片对带宽和集成度要求的不断提升，CoWoS先进封装已成为台积电承接英伟达等AI芯片大厂订单的核心技术。此次合作将使台积电能够在美国本土获得稳定的硅中介层供应，从而提升其先进封装生态系统的整体稳定性。

“AI芯片产能的竞争正从前端制程延伸到封装环节。”业内人士指出，“台积电正在以产能扩张与技术迭代的路线进行应对，而格罗方德的加入将为其提供重要的产能补充。”

根据协议，格罗方德将专注于硅中介层的制造，而后续的逻辑芯粒与HBM堆栈精密键合组装、中介层与封装基板集成对接等关键工序仍将由台积电及其合作方负责。这种分工模式体现了双方在先进封装产业链中的专业协作。

“我们很高兴与台积电合作，共同推动先进封装技术的发展。”格罗方德首席执行官Timothy M. Loop表示，“这不仅有助于满足全球AI芯片市场的快速增长需求，也将巩固美国在全球半导体供应链中的地位。”

市场对这一合作反应积极。协议公布后，格罗方德股价盘前拉升涨超5%。分析师认为，此次合作将显著提升格罗方德在先进封装领域的竞争力，并为其带来可观的营收增长。

预计格罗方德的马耳他工厂将于2028年上半年开始量产爬坡，届时将成为美国首个支持先进封装技术的硅中介层基板生产基地。这一布局将为跨多个世代的产品提供先进封装解决方案带来更大的规模和灵活性，同时也为美国本土半导体供应链的多元化发展做出重要贡献。