美光放弃4F²DRAM路线,三星长鑫加速推进,存储技术路线正式分野
美光宣布20余年评估后放弃4F² DRAM架构,转而押注6F²与3D DRAM;同期三星、SK海力士与长鑫存储均明确推进4F²技术,其中长鑫计划年底推出商用产品。技术路径分歧背后,是成本控制、竞争格局...
美光科技近日作出一项出人意料的技术决策:正式放弃已评估超过20年的4F² DRAM架构。公司总裁兼首席技术及产品官斯科特·德博尔在10月27日接受《日经亚洲》采访时明确表示,“4F²不在我们的路线图上”,未来将延续6F²架构并直接向3D DRAM演进。这一表态迅速引发行业震动——就在十余天前,三星、SK海力士与长鑫存储三家厂商已相继确认正全力开发4F²技术,形成鲜明对比。
4F²并非新概念,而是DRAM领域长期被视作“必经台阶”的关键结构革新。当前主流DRAM采用6F²单元布局(即6倍特征尺寸平方),而4F²通过将存储单元重构为2F×2F正方形结构,在相同工艺节点下可使单元面积减少约33%。据三星在ISSCC 2026披露的实测数据,同等设计规则下,每片晶圆裸片产出可提升20%以上,对成本敏感的存储行业意义重大。
更关键的是其技术承启作用。学界与产业界普遍认为,6F²结构因外围电路与存储阵列难以分离,无法直接实现垂直堆叠;必须先过渡至4F²,才能为后续3D DRAM铺平道路——包括垂直沟道晶体管、阵列与逻辑电路分离、晶圆级混合键合等核心技术,均需在4F²阶段完成验证与整合。三星在其官方路线图中明确规划:4F²将连续使用三代产品,之后才转向3D DRAM。
然而美光选择跳过这一环节。德博尔解释称,4F²虽能提升密度,但技术复杂度高、成本难控,且实际性能增益有限。公司更倾向于在成熟6F²基础上优化,并同步推进3D DRAM研发,试图以“一步到位”缩短技术迭代周期。这种策略并非首次:2020年前后,美光曾公开表示无EUV导入计划,称多重图形曝光效果相当且成本更低;但同期却向ASML支付EUV设备预付款,最终成为三大原厂中最晚导入EUV的一家。此次对4F²说“不”,究竟是技术终局判断,还是又一次路径修正的前奏,尚待观察。
与美光的“退出”形成强烈反差的是,其余三家厂商正加速落地4F²。10月9日,在上海第四届集成芯片和芯粒大会上,长鑫存储总裁曹堪宇正式公布自研4F²架构及配套垂直环绕栅(VSG)晶体管技术,并宣布将于2026年底推出搭载该架构的服务器DDR5 RDIMM产品。这是全球范围内首个明确商用时间表的4F²方案,彭博、南华早报、Counterpoint等机构纷纷评价为“关键技术进展”与“重要里程碑”。值得注意的是,长鑫此举打破了以往中国存储厂商在前沿架构上跟随国际巨头的惯例,首次在结构性创新上实现率先商用。
紧随其后,三星DS部门CTO宋在爀在SEDEX 2026展会上被问及4F²进展时直接回应:“是的,正在努力推进。”SK海力士节奏更早,已于2025年VLSI会议由CTO亲自发布4F²垂直栅平台与3D DRAM路线图;高盛援引当地媒体报道称,其4F²测试阵列已在2026年7月通过读写功能验证。
技术路线分歧的背后,是现实商业压力的映射。美光2026财年Q4营收达542.3亿美元,毛利率87%,创历史新高;但股价自6月25日1213.56美元高点持续回落,截至10月中旬已回撤约25%。市场分析指出,长鑫在服务器DRAM领域的实质性突破,重新引发了投资者对定价权与竞争格局的担忧——尤其当国产厂商不再走“低价内卷”老路时,冲击更为显著。
补充信息显示,长鑫当前报价已趋近三星、SK海力士与美光三巨头,部分服务器级产品甚至略高;其优势在于供货灵活性:无需签订3–5年起的严苛长期协议(LTA),预付款与违约条款也相对宽松。这表明国产内存正从“成本替代”转向“价值替代”,拒绝重蹈光伏、锂电池行业早期靠杀价换份额的覆辙。目前长鑫全球市场份额已达10%,预计2027年产能有望超越美光,跃居世界第三。
与此同时,产业链协同也在加速。ASML被曝正密集申请混合键合设备专利,极可能推出芯片到晶圆(D2W)键合工具,打破BESI在该领域的长期垄断;国内封测设备厂商如中微公司、长川科技已在先进封装环节具备技术储备,有望受益于设备链重构。英伟达亦在大力推动3D堆叠DRAM用于下一代LPU芯片,提前锁定基板、封装与测试产能,凸显HBM与先进封装需求的确定性上升。
值得玩味的是,美光此次表态的时机极为微妙。在长鑫官宣4F²商用计划后仅两周,美光即宣布放弃该路径,资本市场反应迅速——股价下行与基本面背离的现象,恰恰说明投资者已将4F²技术进展纳入核心估值变量。一家企业可以自由选择技术路径,但当多数玩家集体押注某条路线时,单边“跳过”是否真能缩短周期,仍需实践检验。
半导体行业的技术演进从来不是线性过程。NAND从平面转向3D时,各厂商节奏相差数年;如今DRAM面临类似拐点,4F²之争远未结束。美光的“退场”未必代表该技术失效,而更像是一次战略赌注:它赌的是3D DRAM的工程化速度能快于4F²的量产爬坡。若成功,将赢得时间窗口;若受阻,则可能被迫重返4F²赛道——正如EUV历史所示,技术路线的“终局判断”,往往在事后才真正清晰。
