十铨CEO预警，2027年底前内存持续紧缺，16GBDDR5合约价一年涨超550%

十铨科技CEO陈庆文近日在财报电话会议中发出明确警示：从当前至2027年底，DRAM与NAND闪存市场将长期处于严重供不应求状态，价格不仅不会回落，部分采购商甚至可能遭遇“有钱也买不到货”的极端情形。这一判断并非危言耸听，而是基于模组厂一线供应链的真实反馈——即便拥有长期供货协议的头部厂商，也难以获得足量芯片以满足自身生产与客户订单需求。

作为全球主要内存模组供应商之一，十铨科技长期与三星、SK海力士、美光等原厂签订长约。但据陈庆文透露，近期合约配额普遍不足，公司不得不转向现货市场加价抢购，导致短期采购成本远高于合约价。目前，现货价与合约价之间的价差已扩大至30%–50%，进一步推高整机与配件的终端成本。

价格数据尤为直观：一颗16GB DDR5内存颗粒的合约价，在2025年10月为8.70美元；截至2026年9月，该价格已飙升至超过48美元，12个月内涨幅达550%以上。需注意的是，此价格仅为裸片（die）合约价，尚未计入封装、散热马甲、PCB布板及测试良率等附加成本。若换算为终端零售的DDR5-6000 16GB单条内存，市价已普遍突破400元人民币，较2025年初翻倍有余。

陈庆文用一句反问点明核心逻辑：“当什么都没有剩下的时候，价格怎么会下跌？”——这反映出当前行业已进入典型的“库存去化+产能爬坡滞后”双重挤压阶段。尽管SK海力士计划于2026年将DRAM产能提升至2025年的八倍，三星亦调整策略，减少HBM投入、转而增产DDR5模组级产品;但这些扩产动作从设备安装、良率爬坡到实际出货，周期通常需12–18个月，难以在2027年内显著缓解结构性短缺。

值得注意的是，高端DRAM与NAND市场仍高度集中。目前全球前三大厂商——三星、SK海力士与美光——合计占据约75%的DRAM份额；NAND领域则由三星、铠侠、西部数据与SK海力士主导。国产厂商如长鑫存储、长江存储虽已实现技术突破并逐步放量，市场份额接近10%，但在高性能服务器级与消费级高端产品上仍依赖进口原厂颗粒。更关键的是，国产存储价格并未形成“价格锚”，反而紧密跟随国际行情波动，未能成为平抑市场的缓冲力量。

此次短缺的影响早已超出内存条本身，波及整个PC硬件生态链。SSD价格同步走高：主流PCIe 4.0 NVMe固态硬盘（如1TB容量）均价较2025年末上涨约40%；整机厂商因BOM成本上升，被迫上调台式机与笔记本售价。据行业调研，2026年Q3以来，主流DIY平台整机成本平均上浮15%–20%，其中内存与存储贡献了近半涨幅。

对于普通消费者而言，这意味着装机预算被实质性压缩。例如，一套原计划5000元的主流游戏主机，若坚持使用16GB×2 DDR5双通道配置与1TB NVMe SSD，仅内存+存储两项成本就比2025年同期多支出600–800元。部分用户被迫降级选择DDR4平台，或延长设备更换周期。

值得玩味的是，业内对后续走势存在分歧。宏碁CEO陈俊圣持相对乐观态度，认为2027年下半年主流内存价格将开始回落，PC整机价格有望在2027年上半年企稳后下行。他同时指出，部分供应商可能存在“延长短缺叙事以维持利润率”的动机。然而，陈庆文的判断更侧重于物理产能约束与客户订单刚性需求的现实压力，其依据来自模组厂每日面临的交付缺口。

从产业周期看，本轮涨价始于2025年Q4，导火索是AI服务器对HBM3E与LPDDR5X的爆发式需求，叠加传统PC与手机市场库存回补。而2026年全球晶圆厂扩产节奏整体偏保守——除SK海力士外，多数厂商优先保障HBM与车规级芯片产能，标准DDR5与TLC NAND扩产滞后。此外，先进制程（如1βnm DRAM）良率爬坡缓慢，也限制了有效供给释放速度。

陈庆文进一步预判，平价消费级内存价格松动可能要等到2029年；而高端产品线（如DDR5-7200及以上、带ECC的服务器内存）将持续紧缺。这一时间表意味着，未来两年内，DIY玩家、OEM厂商乃至云服务商都将面临持续的成本压力与供应链不确定性。

短期来看，市场或出现结构性替代：例如，部分主板厂商推动DDR4平台“再焕新生”，通过BIOS优化支持更高频次；SSD厂商加大QLC TLC混合方案比例，以控制成本；甚至有整机品牌尝试“内存焊死”设计，减少后期升级需求。但这些措施仅能缓解局部压力，无法逆转整体供需失衡格局。

最终，内存市场的真正拐点取决于三个变量：一是2027年Q2后新产能的实际爬坡效率；二是AI训练需求是否阶段性饱和；三是终端消费电子（尤其是智能手机）出货量能否显著回升以消化新增产能。在这些条件未明朗前，“有钱也买不到”的困境或将延续至2027年末。