长鑫存储DRAM营收飙升至73亿美元

近日，长鑫存储公布了其2026年第一季度的财务业绩，DRAM销售收入达到73.09亿美元，较上一季度增长115.1%，市场份额提升至7.7%，在全球DRAM市场排名第四。这一亮眼表现不仅彰显了长鑫存储的技术实力，也标志着其在全球存储芯片领域的快速崛起。

在技术层面，长鑫存储正在HBM（高带宽内存）赛道上加速追赶国际巨头。目前，该公司已推出HBM3样件，并向华为等国内AI芯片厂商供货，正处于量产前的验证环节。根据规划，长鑫存储计划于2027年实现12层HBM3E的量产。如果该计划顺利实施，长鑫存储与三星电子、SK海力士、美光三家头部存储厂商的技术差距将缩短至2到3年。

值得注意的是，长鑫存储在HBM3架构标准上已经追平了三星和SK海力士，中韩两国在HBM领域的差距从此前的多代落后缩至仅3年。行业消息人士透露，长鑫存储在技术上已具备HBM3量产能力，虽然良率仍是制约因素，但技术层面已不存在代差。此前，长鑫采用跨代技术路径，从DDR4直接进入HBM3开发，大幅缩短了追赶时间。

产能扩张方面，长鑫存储也在同步推进。目前，公司在合肥运营两座12英寸DRAM工厂，在北京有一座，总晶圆产能约为每月30万片。上海新工厂计划从2027年起正式投产，投产后整体产能将达到现有水平的两倍以上。此外，长鑫将DRAM总产能的约20%投入HBM制造，月产能可达6万片晶圆。

市场份额持续攀升的背后，是长鑫存储在技术研发和产能布局上的双重发力。据CFM闪存市场数据显示，2026年第一季度长鑫存储DRAM销售收入达73.09亿美元，环比增长115.1%，市场份额升至7.7%，排名全球第四。这一成绩的取得，离不开公司在技术突破和市场拓展上的持续努力。

长鑫存储的成功并非偶然。近年来，随着全球半导体市场的快速发展，存储芯片的需求持续增长。根据SIA（半导体行业协会）的数据，2025年10月全球半导体销售额达到713亿美元，同比增长33%。与此同时，DRAM价格在2026年第一季度飙升80%-90%，供应紧张状况将持续至2028年。这种供需失衡为长鑫存储提供了绝佳的发展机遇。

展望未来，长鑫存储将继续加大研发投入，优化生产工艺，提升产品良率。同时，公司还将进一步扩大产能，以满足日益增长的市场需求。可以预见，在全球存储芯片市场竞争日益激烈的背景下，长鑫存储有望凭借其技术优势和产能扩张，进一步巩固和提升其在全球市场的地位。