三星前员工跳槽被禁，SK 海力士两年内不得录用两名核心人才

在半导体行业竞争日益激烈的背景下，韩国一家法院近日就三星电子与SK海力士之间的一起核心人才争夺案作出裁决，引发了业界广泛关注。

根据IT之家报道，韩国水原地方法院于7月13日宣布，两名曾任职于三星存储器部门的NAND闪存设计工程师，在2027年4月30日前不得加入SK海力士及其关联企业。这一判决源于三星电子对核心人才流失的担忧，该公司此前依据竞业禁止协议，要求法院对这两名员工实施为期两年的就业限制。

这两名员工在三星工作了约10至11年，深度参与了NAND闪存的设计工作。他们在今年2月跳槽至SK海力士后，三星随即提起诉讼，主张这些员工掌握的技术属于公司的核心商业秘密，并可能损害其市场竞争力。

值得注意的是，法院在审理过程中认定，涉案的NAND闪存设计技术属于韩国"国家核心技术"范畴。基于这一判断，法院支持了三星的部分竞业禁止请求，但并未完全采纳三星提出的两年限制期限。最终，法院将限制期限确定为18个月，即从2025年2月跳槽时间算起，至2027年4月30日为止。

"这项裁决反映了韩国司法系统对保护国家核心技术的重视，"一位半导体行业分析师表示，"同时也在一定程度上平衡了企业的商业利益与员工的职业发展权利。"

作为全球存储芯片市场的两大巨头，三星电子与SK海力士在NAND闪存领域长期处于激烈竞争状态。高端设计人才的流动不仅关系到双方的技术优势，也直接影响市场份额的争夺。此次法院的裁决，无疑将对两家公司在未来的人才战略和市场竞争格局产生深远影响。

业内人士指出，随着半导体技术的不断进步，特别是AI驱动的数据存储需求激增，NAND闪存领域的竞争将更加白热化。此次案件的裁决，或许将成为未来类似人才争夺案的参考案例，特别是在涉及国家核心技术保护的情况下。

三星电子方面表示，将继续关注相关法律程序的进展，并采取必要措施保护其知识产权和商业利益。而SK海力士则表示尊重法院裁决，同时强调公司将通过自主研发来保持技术领先优势。