SK海力士大连厂NAND产能扩50%，2027年月产15万片晶圆

在全球数据存储需求持续增长的背景下，韩国半导体巨头SK海力士（SK Hynix）宣布将大幅扩建其位于中国大连的NAND闪存生产基地。根据最新规划，SK海力士计划在2027年将其大连工厂的NAND闪存月产能从目前的约10万片晶圆提升至15万片，增幅达50%。

这一扩产计划标志着SK海力士在中国大陆的扩张项目正式重启。早在2021年，SK海力士成功收购英特尔的3D NAND和固态硬盘（SSD）业务，并成立子公司Solidigm专门负责该领域的发展。然而，受美国政府出口管制政策以及全球NAND闪存市场整体下行的影响，该项目在过去的四年中一直处于停滞状态。如今，随着AI基础设施建设带动的存储需求激增，SK海力士决定重新推进这一战略项目。

人士透露，大连工厂的扩产工程将于今年11月开始设备搬入，并计划在2027年上半年正式投产。届时，Solidigm将引入其最新的浮栅（Floating Gate）架构3D QLC NAND闪存生产技术，单芯片活跃存储层数将突破200层。这一技术升级将使企业级客户能够获得容量高达245TB的QLC eSSD产品，满足数据中心对大容量高性能存储解决方案的需求。

值得注意的是，尽管全球NAND闪存市场预计将在2027年实现供需平衡，但大连工厂新增的产能仍将在庞大的市场需求面前发挥重要作用。业内人士分析认为，此次扩产不仅有助于SK海力士巩固其在全球存储市场的领先地位，还将为其后续的战略布局提供有力支持。

此外，SK海力士正在积极筹划推动Solidigm赴美上市，计划登陆纳斯达克资本市场。业内专家指出，通过IPO筹集的资金将为SK海力士提供充足的资本支持，使其能够继续扩大产能并进行技术研发，进一步巩固其在全球存储行业的竞争优势。