SK海力士硅谷建定制HBM团队，瞄准英伟达AMD深化AI芯片合作

随着人工智能技术的快速发展，高性能计算对内存的需求日益增长。韩国存储厂商SK海力士近日宣布，在美国加利福尼亚州圣何塞设立专门的HBM架构设计团队，以加强与全球领先科技公司的深度合作。

这一战略部署正值HBM技术进入定制化时代的关键节点。据TrendForce报道，SK海力士的新团队将直接与主要的美国客户合作，提供从基础裸片（Base Die）到3D堆叠DRAM的本地技术支持，并贯穿整个产品开发周期。选择圣何塞作为基地，不仅因为该地区聚集了英伟达和AMD两大半导体巨头，还临近博通等其他重要企业。

SK海力士正在积极招募具备DRAM和HBM架构设计、全定制数字协同设计、供电网络分析以及逻辑代工经验的专业人才，优先考虑拥有10nm级别DRAM与3nm及以下工艺经验的从业者。这种人才策略反映了HBM4E时代的技术要求——先进逻辑工艺被应用于基础芯片，使得存储器与系统半导体之间的界限逐渐模糊。

"过去，HBM的竞争主要围绕生产能力和先进工艺展开。"一位行业分析师表示，"但随着AI加速器性能和结构的多样化，每个客户所需的HBM在容量、带宽和功耗特性上各不相同，传统模式已难以满足差异化需求。"

SK海力士的新策略是：让设计人员从客户下一代AI芯片的开发初期就参与其中，共同开发针对芯片特定特性量身定制的HBM。一旦与特定客户联合开发出HBM，后入者将很难切入这条供应链，因此"联合设计"能力正成为尽早锁定下一代HBM订单的关键手段。

这一战略转变的背后有深刻的技术原因。从HBM4开始，先进逻辑工艺将被应用于基础芯片，存储器和系统半导体之间的界限正变得越来越模糊。这意味着AI加速器与HBM的协同优化变得至关重要——与其分别开发AI芯片和HBM再进行整合，不如从产品设计的早期阶段就对二者进行联合优化。

"这从根本上改变了存储芯片的行业属性与市场定位。"SK海力士高层表示，"存储芯片早已不再是标准化大宗商品，而是需要与AI处理器协同设计研发的定制化组件。"

与此同时，SK海力士还在美国其他地区扩展业务。2020年，该公司斥资90亿美元收购英特尔NAND闪存业务，并组建子公司Solidigm；今年1月，又在美国成立专注于AI业务的子公司，总投资达100亿美元。尽管如此，SK海力士并未规划任何晶圆前端制造项目，而是专注于芯片封测环节。

市场研究机构Counterpoint Research预测，全球存储器市场规模将从去年约360万亿韩元激增至今年的1500万亿韩元，并在明年进一步扩大至2100万亿韩元。受AI数据中心建设热潮推动，对HBM及高容量存储器的需求激增，企业亟需尽快扩大产能。

"我们有意推进赴美建厂，但关键是必须找到合适的选址。"SK海力士高层表示，"面向客户定制化HBM的下一代技术迭代落地，将有效对冲巨额扩产投入潜藏的经营风险。"