长鑫HBM3良率仅25%，国产存储厂商再遇工艺瓶颈

近日，科技媒体wccftech披露了长鑫存储（CXMT）在HBM3内存研发过程中遇到的重大工艺挑战。据行业供应链调查及韩国产业界最新消息显示，长鑫在试产针对人工智能算力芯片的8层堆叠HBM3内存颗粒时，综合良率长期徘徊在25%至30%的低位区间。若叠加极为严苛的最终封测与性能评估环节，下线的芯片产品中甚至有近80%未能通过终检测试，实际综合产出率面临巨大挑战。

这一消息引发了业界对长鑫存储技术能力的广泛关注。作为中国大陆唯一能大规模量产内存颗粒的厂商，长鑫近年来在DRAM市场占有率持续攀升，从一年前的4%跃升至今年二季度的10%。然而，在向高端HBM领域进军的过程中，长鑫却遭遇了与三星、SK海力士等国际巨头相同的工艺瓶颈问题。

HBM（高带宽内存）是一种将多个DRAM内存芯片垂直堆叠并进行高速互连的技术，能够提供更高的数据吞吐量，有效缓解传统内存芯片的带宽性能瓶颈。目前，三星、SK海力士和美光三大存储巨头在HBM领域竞争激烈，而长鑫的HBM3产品正处于技术研发的关键阶段。

长鑫总经理赵纶在9月7日召开的2026年半年度业绩说明会上表示，公司按照既定的技术路线图和商业计划，保持产品与制程工艺的持续迭代。他强调，公司始终以开放的态度与全球范围内的优质客户探讨合作机会，产品在性能、质量和供应稳定性方面已具备与国际主流厂商竞争的能力。

值得注意的是，长鑫前不久刚宣布LPDDR6移动内存量产，小米18 Fold将成为全球首款搭载该产品的折叠屏手机。这表明长鑫在普通内存领域已经取得显著进展，但在高端HBM领域的突破仍面临严峻考验。

市场分析人士指出，要生产具备竞争力的HBM产品，需要高良率的先进DRAM芯片、硅通孔（TSV）工艺、先进封装技术等，以及与AI芯片厂商共同进行的测试和认证。因此，仅仅生产出可用的HBM产品，并不足以建立具有商业竞争力的HBM业务。

当前，长鑫的主要产品线包括DDR和LPDDR两类DRAM内存。前者用于服务器、台式电脑、笔记本电脑等终端，后者则面向智能手机、平板电脑等移动设备。随着AI服务器市场的快速增长，HBM内存的需求正在急剧上升，这对长鑫来说既是机遇也是挑战。

尽管面临良率问题，但长鑫在内存市场的份额仍在稳步提升。市场调研机构TrendForce集邦咨询的数据显示，2026年第二季度，长鑫在全球DRAM内存市场的营收占比从上季度的7.6%提升至9.5%。在内存市场供应紧张局面下，长鑫的产品也为海外消费电子厂商提供了更多选择。

高盛的分析师认为，美国客户有强烈的意愿采用包括长鑫科技在内的所有供应商的产品，尤其是在智能手机和PC应用领域。这表明长鑫在国际市场上的认可度正在逐步提升。

展望未来，长鑫能否突破HBM3的工艺瓶颈，将直接影响其在中国AI供应链中的战略地位。如果能够成功解决良率问题，长鑫有望在2026年第四季度开始显现HBM业务的贡献，预计到2030年，HBM业务收入占比将达到27%。

总的来说，长鑫存储在HBM3领域的良率问题虽然令人担忧，但也反映出高端存储技术开发的复杂性和挑战性。对于这家快速崛起的中国存储厂商来说，如何在保持现有市场份额的同时，突破高端技术壁垒，将是决定其未来发展的关键因素。