中科院研制新型铁电隧穿结，电阻差1900万倍，耐久超千亿次 中国科学院半导体研究所团队成功研发一种新型铁电隧穿结器件，通过原子层微小滑移实现开关电阻高达1900万倍的差异，并能承受超过1000亿次反复开关。该成果突破了传... 2026年09月15日 半导体/芯片 #存储芯片 #存算一体
