长鑫存储4F²架构量产落地,用垂直晶体管与混合键合绕开EUV封锁 长鑫存储通过自研4F²架构与VSG垂直晶体管,结合12英寸晶圆级混合键合工艺,在无EUV光刻机条件下实现DRAM密度提升30%–50%;已全球首发LPDDR6并... 2026年10月20日 半导体/芯片 #DRAM #长鑫存储 分享海报
每秒520万亿次浮点运算,我国自研AI芯片架构实现重大突破 7月13日,我国在人工智能芯片领域取得重要突破。当日,一款自主研发的AI芯片在上海正式亮相,这款芯片在14纳米制程工艺上实现了每秒520万亿次浮点运算的算力,标... 2026年07月14日 消费电子 #AI芯片 #软件定义 分享海报