三星提前锁定2027年HBM全部产能，DRAM七成订单已签，与台积电合作生产NVHBM基底芯片 三星电子通过长期供应协议锁定2027年全部高带宽内存（HBM）产能及约70%通用DRAM产能，应对AI驱动的内存需求激增；同时首次与台积电合作，采用3纳米工艺为... 2026年10月20日 半导体/芯片 #DRAM #HBM 分享海报
