二维半导体8英寸中试线启用

近日，国内半导体行业迎来一项重要突破：由原集微科技建设的世界首条8英寸二维半导体中试线正式启用。这一里程碑事件不仅填补了国内在二维半导体工程化领域的空白，也为我国半导体产业摆脱对国外技术依赖提供了新的解决方案。

据IT之家报道，该工艺线于今年1月完成点亮，经过半年多的设备调试与工艺优化，现已具备完整的流片与工程化试制能力。与传统的实验室小型试制平台不同，这条中试线构建了从材料制备到芯片集成的完整工程化链条，为二维半导体的产业化奠定了坚实基础。

"依托二维材料原子级厚度的天然优势，我们无需复杂的FinFET或环栅结构，即可实现晶体管的持续微缩。"原集微科技董事长包文中表示。这一技术特点使得二维半导体在器件微型化方面具有独特优势，为未来芯片性能提升开辟了新路径。

当前，团队正基于这条8英寸中试平台，打通等效硅基90nm的工艺路径，推动二维半导体从实验室‘手搓’器件向工业化标准设计迈进。按照规划，目标是在2029年不依赖EUV光刻机实现等效5nm的全国产方案，这将显著降低我国半导体产业对外部技术的依赖程度。

此外，原集微还正式发布了基于8英寸中试线平台的500纳米PDK 0.1版本，并启动代工流片服务。据介绍，这是二维半导体领域首个提供二维PDK并兼容主流EDA工具链的工艺IP，包含Pcell、DRC、LVS、PEX等工具包，为客户提供了从设计到制造的全流程工具支撑。该工艺库良率大于99.99%，各方面指标均突破了二维半导体的国际纪录，基本接近硅基同等制程水准，未来可支持10万管级二维电路设计和晶圆级制造。

在启用仪式上，原集微科技展示了其未来五年的制程工艺发展路线图。根据规划，2026年将实现90nm二维顶栅晶体管良率攻关；2027年完成90/28nm CMOS提良，实现小规模量产；2028年打通28nm节点N/P MOS工艺，完成A13型制程；2029年实现二维CMOS全工艺节点覆盖。

专家指出，二维半导体材料（如二硫化钼、石墨烯等）因其独特的物理特性，在下一代半导体器件中具有广阔的应用前景。特别是在后摩尔时代，传统硅基半导体面临物理极限挑战时，二维半导体有望成为重要的替代方案。此次中试线的启用，不仅验证了二维半导体材料在工程化应用中的可行性，也为后续大规模产业化积累了宝贵经验。

业内人士认为，随着二维半导体技术的不断成熟，未来有望在柔性电子、低功耗芯片、量子计算等领域发挥重要作用。同时，这也为我国在全球半导体竞争格局中争取更多主动权提供了有力支撑。