长鑫G5内存量产，11.95nm工艺逼近国际顶尖，国产存储迎突破时刻

9月22日，国产DRAM领军企业长鑫科技正式宣布其自主研发的第五代内存平台（G5）实现量产，并同步推出基于该平台的大容量LPDDR5X新品。这一里程碑事件标志着中国企业在高端存储领域取得了重要进展，同时也引发了业界对国产内存能否打破国际三巨头垄断格局的广泛讨论。

根据长鑫科技公布的参数，G5平台通过创新的四重曝光（SQDP）技术，成功将内存阵列有源区半间距微缩至11.95纳米，这一数值已跨入1c工艺门槛。与之相对的是，国际三大DRAM厂商——三星电子、SK海力士和美光科技——目前普遍采用EUV光刻工艺，其中三星和SK海力士的EUV层数可达4-6层，而美光至少使用1层EUV光刻。这种工艺路径的差异，使得长鑫G5在制程节点上与国际领先者仅存在0.9nm左右的差距，被业内称为“接近全球最顶尖的内存量产平台制程”。

然而，值得注意的是，长鑫G5并未采用EUV光刻技术，而是选择了更为传统的DUV四重曝光工艺。尽管从技术角度看，四重曝光在CPU工艺中已能实现3nm甚至2nm级别的制程，但在内存生产中，随着曝光次数的增加，良率和产能会显著下降，导致生产成本上升。长鑫科技副总裁骆晓东在发布会上坦言：“DUV四重曝光的技术难度并不大，但最大的挑战在于成本控制。”不过，当前内存市场的高利润率为长鑫提供了足够的缓冲空间。数据显示，2026年上半年长鑫科技的归母净利润高达776.05亿元，毛利率更是达到了84.84%，远超行业平均水平。

长鑫G5的量产不仅体现在制程上的进步，还表现在产品性能的全面提升。例如，基于G5平台的LPDDR5X内存芯片，单颗容量达到24Gb，较上一代提升了50%；同时，其工作速率也达到了10667Mbps，首次实现了在旗舰手机中的规模化应用。此外，长鑫还在大会上首次公开展示了峰值速率为12800Mbps的LPDDR6内存，预示着未来在更高速度领域的布局。

从产业角度来看，长鑫存储目前已是全球第四大DRAM厂商，按出货量与销售额统计位居国内第一、全球第四。据Omdia数据，2025年第四季度其DRAM销售额市场份额约为7.67%。此次G5平台的量产，使得长鑫与国际三巨头的技术差距从此前的“两代以上”缩小至“1-2代”，进一步巩固了其在全球存储市场的地位。

尽管如此，长鑫G5的全面追赶之路依然面临诸多挑战。首先，在HBM（高带宽内存）等最尖端领域，长鑫尚未取得突破性进展；其次，每比特成本仍高于国际竞争对手，这在一定程度上限制了其在价格敏感型市场的竞争力。对此，长鑫科技表示，G5的核心价值在于用“可得的设备”实现了等效制程，为后续HBM、DDR6、LPDDR6等更高端产品的迭代提供了工艺底座，而非一次性全面追平国际巨头。

资本市场对长鑫G5的量产反应热烈。今年7月27日，长鑫科技以每股8.66元登陆科创板，募资约579亿元，成为科创板史上最大IPO。上市首日市值一度突破3万亿元。业绩方面，2026年上半年营业收入同比增长873.64%，归母净利润一举抹平成立以来的全部累计亏损，显示出强劲的增长势头。

总体来看，长鑫G5内存的量产是中国半导体产业的一次重要突破，它不仅展示了国产存储技术的进步，也为国内其他内存厂商提供了追赶的机会。随着内存价格持续高位运行，预计未来几年内，国内将有更多企业加入高端内存的竞争行列，从而改变现有的市场格局。