长鑫G5内存量产，11.95nm工艺逼近国际顶尖，国产存储迎突破时刻 国产DRAM厂商长鑫科技宣布第五代内存平台G5实现量产，采用DUV四重曝光技术将有源区半间距微缩至11.95纳米，接近三星、SK海力士等国际巨头的1c工艺水平。... 2026年09月22日 半导体/芯片 #长鑫科技 #LPDDR5X
