英特尔18A工艺良率升至85%，先进封装EMIB-T达98%

近日，科技媒体Wccftech发布消息称，英特尔晶圆代工厂（Intel Foundry）在18A工艺节点及EMIB先进封装技术上取得显著进展。根据投资银行基班克资本市场（KeyBanc Capital Markets）和金融数据公司FactSet的最新研报，英特尔18A工艺良率已从上一季度的65%大幅提升至85%，这一成绩仅次于台积电N2（2纳米）工艺90%的良率，远高于三星SF2工艺50-60%的水平。

在先进封装领域，英特尔的EMIB-T技术也取得突破性进展。报告显示，该技术的良率已达到98%，较三个月前的90%有明显提升。这一进步使得英特尔在高端芯片制造领域更具竞争力，尤其是在支持智能体AI（Agent AI）需求激增的背景下。

英特尔正积极拓展客户合作，目前已获得AMD、英伟达和OpenAI等重要客户的订单。这些客户对高性能计算芯片的需求，进一步推动了英特尔在18A和14A工艺节点上的研发和生产投入。

此外，英特尔还计划于2028年下半年量产14A工艺节点，并扩大Intel 4和Intel 3的产能，目标是实现今年CPU业务同比增长25%-30%。汇丰银行也对英特尔的未来表现表示看好，认为其在先进制程和封装技术上的突破将为其带来持续的增长动力。

分析师指出，英特尔18A工艺良率的提升，不仅反映了其在制程技术上的进步，也表明其在高端芯片制造领域的市场地位正在巩固。随着智能体AI应用的普及，对高性能计算芯片的需求将持续增长，这为英特尔提供了重要的发展机遇。