英特尔率先实现High NA EUV量产，成为全球首家高产量出货企业

近日，半导体行业迎来一项重要突破：英特尔代工部门宣布，其在Intel 18A工艺节点上成功利用ASML的高数值孔径极紫外（High NA EUV）光刻技术量产部分Core Ultra Series 3（代号Panther Lake）处理器。这一成就使英特尔成为全球首家实现High NA EUV逻辑芯片高产量出货的企业，标志着该技术正式迈入大规模生产阶段。

根，Intel 18A工艺的部分工艺层已完成High NA EUV双重认证，产品良率已经达到现有NXE EUV平台水平。双方表示，将继续推进该技术在未来制程节点的应用。值得注意的是，2024年，英特尔和ASML就在美国俄勒冈州希尔斯伯勒的研发基地成功完成了业界首台商用High NA EUV光刻系统的集成工作。英特尔也成为第一家安装并通过验收测试的第二代TWINSCAN EXE:5200B系统公司。这款系统在TWINSCAN EXE:5000基础上进行了改进，不仅提升了产量和覆盖精度，还优化了光源性能。

这一技术突破对整个半导体行业具有重要意义。长期以来，High NA EUV因其高昂的成本和技术复杂性而被视为难以普及的技术。然而，随着英特尔的成功量产，这一技术有望加速向更广泛的制程节点推广。英特尔执行副总裁兼Intel Foundry业务总经理Naga Chandrasekaran表示："这一里程碑反映了英特尔与ASML之间的密切技术合作，并展示了如何将High NA EUV集成到大规模先进半导体制造中。通过在特定Intel 18A产品层上获得High NA EUV工艺选项的资格，我们现有的工具舰队正在为客户提供更高的产出，同时我们在开发未来选项以实现即将到来节点上的领先边缘性能、密度和制造灵活性。"

与此同时，针对此前关于台积电不投入High-NA EUV设备的传闻，台积电董事长魏哲家在股东会上亲自辟谣。他表示，台积电不仅没有停止投资，反而早已购入相关设备，只是暂时未投入量产。他强调，由于成本较高，目前生产中并不需要使用High-NA EUV技术，但台积电正在努力降低成本，并在投入生产前最大化该技术的效益。

英特尔此次成功实现High NA EUV量产，不仅展示了其在先进制程技术上的领先地位，也为整个半导体行业树立了新的标杆。随着这一技术的逐步普及，预计将在未来的芯片制造中发挥越来越重要的作用，推动半导体性能的进一步提升。