美光 LPDDR5X 新增 6GB/12GB/24GB 非二进制容量，最高速率达 10.7Gbps

7 月 16 日消息，当地时间 7 月 14 日，美光科技（Micron Technology）宣布进一步扩展其基于 1γ 制程节点的 LPDDR5X 低功耗内存产品线，新增了 6GB、12GB 和 24GB 三种非二进制容量选项。这一扩展标志着美光在高端 DRAM 内存领域的持续创新，为移动设备、平板电脑以及边缘人工智能应用提供了更灵活、高效的内存解决方案。

作为全球首款采用极紫外光（EUV）光刻技术的 DRAM 内存工艺，1γ 制程是美光第六代 10nm 级 DRAM 节点。公开资料显示，美光已于 2025 年 6 月在美国爱达荷州博伊西市开始出货该制程的 LPDDR5X 认证样品。此次新增的三种容量进一步丰富了产品矩阵，其中 6GB 容量适用于入门级设备，12GB 提供了主流设计的灵活性，而 24GB 则专为旗舰级产品和高负载边缘 AI 场景设计。

性能方面，新款非二进制 LPDDR5X 的传输速率最高可达 10.7Gbps，相比前一代产品（最高 9.6Gbps）提升了约 11%。美光实验室的测试数据显示，在实际使用场景中，新款产品可实现超过 15% 的总功耗节省，较前一代产品功耗降低高达 20%。

在封装尺寸上，美光工程师将 LPDDR5X 的厚度缩小至 0.61 毫米，比竞品轻薄 6%，比前一代产品高度降低了 14%。这使得新款内存更适合于追求轻薄设计的移动设备。在封装选项上，美光为不同终端应用提供了多种方案：496b 层叠封装（PoP）仍是旗舰智能手机的主要选择，而紧凑型 245b 细间距球栅阵列（FBGA）封装在移动设备中获得越来越多的应用；面向客户端 PC，则主要采用 563b 和 315b 封装，其中 563b 封装通过单堆叠配置提供出色的散热性能。

美光表示，该公司已向主要生态系统合作伙伴交付了非二进制 LPDDR5X 样品以支持其最新平台集成，并正在与合作伙伴密切协作进行验证和认证工作。联想集团研发总监 Bill Li 表示，美光最新非二进制 LPDDR5X 提供的容量和封装选项范围，使其能够高效地定制移动产品（尤其是智能手机和平板电脑）设计，以满足多样化的用户需求和细分市场。

LPDDR5X 市场自 2025 年以来增长迅速，主要由 AI 赋能设备的需求增长所驱动。据市场研究机构预测，高速 LPDDR5X DRAM 市场规模预计将从 2025 年的 87.3 亿美元（约合 591.75 亿元人民币）增长至 2026 年的 109.2 亿美元（约合 740.19 亿元人民币）。随着 AI 工作负载在边缘设备上的不断扩展，性能和功耗效率正变得日益重要，这也推动了 LPDDR5X 的市场需求增长。

图表展示了美光新一代非二进制 LPDDR5X（1γ）与前一代产品（1β）在功耗方面的对比。左侧为 DoU Power（Device Operating Unit Power），显示总功耗降低了约 17%；右侧为 HBW Power（High Bandwidth Workload Power），显示总功耗降低了约 16%。这些数据直观地反映了美光在功耗优化方面的显著进步。