美银预测存储涨价持续，三季度DRAM均价环比涨21%

近期，市场对存储芯片价格走势的判断正在发生转变。过去几个月，业内普遍认为存储价格已接近顶部，但摩根士丹利（美银）发布的全球存储技术周报显示，其渠道调查并未发现三季度DRAM价格明显失速，反而看到服务器DRAM、DDR5、DDR4乃至NAND同时出现补库和急单现象。

根据美银的预测，三季度全球DRAM平均售价将环比上涨21%，这一涨幅高于TrendForce对传统DRAM上涨13%至18%的预测。美银的研究基于三季度合约价渠道调查得出五点关键发现：服务器DRAM合约价环比上涨20%至30%，由高速LPDDR5带动；现货需求主要由DDR5与DDR4推动，7月环比再次上涨；高价HBM4订单近期增加，替代较廉价的HBM3E；长期协议销售占比低于50%，即便签约仍常按季重新结算，涨幅可能达5%至10%；部分OEM急单成交涨幅超过20%，且这种现象已延伸至NAND领域。

回顾历史，上一阶段的涨价动能主要依赖供给端的主动减产、渠道去库存以及消费电子的温和复苏。然而，在当前节点，HBM、AI服务器、企业级SSD与先进制程逻辑芯片的爆发，正在对上游晶圆产能、关键设备及厂商的资本开支形成强力挤占。这种资源再分配的直接后果是导致传统DRAM和NAND的有效产能被动收缩，从而放大了其稀缺属性。

数据显示，16Gb DDR5现货价格约为49.2美元，周涨3%，季度累计上涨28%，同比涨幅达到712%；而16Gb DDR4价格更高，达到80.1美元，同比上涨829%。8Gb DDR4约39.9美元，4Gb DDR4约12.9美元，均处于多年高位。这表明供给错配已经超过技术代际差异，现货市场提供了更直接的信号。

美银与TrendForce的分歧主要来自对HBM4切换、服务器高规格产品以及非长期协议重新定价的考虑。若只观察传统DRAM，涨幅容易被理解为从一、二季度高点快速回落；但综合考虑HBM4切换、服务器高规格产品以及非长期协议重新定价后，综合平均售价仍有可能高于市场预期。也就是说行业增速在放缓，盈利弹性却未必同步消失。

展望未来，美银预计三季度服务器DRAM价格可能环比上涨20%至30%，较市场此前“不超过20%”的普遍预期更为乐观。部分OEM急单的成交涨幅超过20%，而且这种现象不只出现在传统DRAM，也开始延伸至NAND。美银与三星NAND合约均价环比变化预测显示，在一季度75%至88%的暴涨后，预计二季度涨幅放缓至约65%，三季度进一步回落至约15%，四季度接近持平，涨速拐点已现，美银预测与三星走势高度一致。

总体来看，存储芯片价格的上涨动能仍在延续，尤其是在AI基础设施建设的强力拉动下，传统DRAM和NAND的有效产能被动收缩，导致供需关系进一步紧张。尽管市场普遍认为涨价周期即将结束，但美银的预测表明，存储芯片价格的上涨可能还会持续一段时间。