SK海力士加码HBM封测投资,清州P&T7项目获7万亿韩元新投入
半导体行业巨头SK海力士近日宣布对其位于韩国忠清北道清州市的HBM(高带宽内存)先进封装后端晶圆厂P&T7项目进行新一轮大规模投资。根据该公司当地时间7月23日提交的披露文件,董事会已批准为该项目追加...
半导体行业巨头SK海力士近日宣布对其位于韩国忠清北道清州市的HBM(高带宽内存)先进封装后端晶圆厂P&T7项目进行新一轮大规模投资。根据该公司当地时间7月23日提交的披露文件,董事会已批准为该项目追加70931亿韩元(约合324.72亿元人民币)的投资。
据韩媒THE ELEC报道,此次追加投资的主要目的是缩短洁净室的启用时间,从而加快HBM产品的产能释放进度。SK海力士表示,尽管P&T7项目的总投资规模仍维持在19万亿韩元,但新增的7万亿韩元资金将主要用于优化施工进度和提升设备安装效率。
P&T7项目占地面积达23万平方米,总洁净室面积约15万平方米。其中,三层共6万平方米将用于WLP(晶圆级封装)生产线,七层共9万平方米则规划为WT(晶圆测试)生产线。这一布局充分体现了SK海力士在HBM领域全产业链布局的战略意图。
HBM作为高性能计算和人工智能应用的核心组件,近年来市场需求持续快速增长。SK海力士此次加大投资力度,不仅显示出其在该领域的领先地位,也反映了全球半导体产业对高端存储芯片的迫切需求。分析人士指出,随着AI、大数据等技术的快速发展,HBM的需求预计将在未来几年保持强劲增长态势。
值得注意的是,SK海力士的这一投资决策与当前全球半导体供应链的动态密切相关。在中美科技竞争加剧、各国纷纷加大对本土半导体产业扶持力度的背景下,SK海力士通过持续加码HBM产能建设,旨在巩固其在全球存储芯片市场的竞争优势,并为未来的市场扩张奠定坚实基础。