SK海力士拟与英特尔合作代工HBM4E基底芯片，降低成本压力

近日，存储芯片巨头SK海力士被曝出一项重大战略调整：公司正在研究与英特尔合作，由后者代工生产下一代高带宽内存（HBM）的关键组件——HBM4E的基础裸片（Base Die）。这一计划最早可能从2026年推出的HBM4E产品开始实施，标志着SK海力士首次引入外部代工厂参与其核心HBM产品的生产。

作为高性能计算和人工智能领域的重要组件，HBM芯片需要集成大量DRAM颗粒和逻辑电路，其基础裸片的制造工艺直接影响到最终产品的性能和成本。目前，SK海力士主要依靠自身成熟的1β (b) nm（第五代10nm级别）工艺来生产HBM4所需的DRAM芯片，但HBM4E将采用更先进的定制化设计，其基础裸片的逻辑功能和性能要求显著提升，这使得单纯依赖自有产能面临挑战。

长期以来，SK海力士的HBM4基础裸片均由台积电代工，主要采用12纳米级工艺。然而，随着制程节点向5nm推进，台积电的代工成本远高于SK海力士自身的生产成本。据行业分析，台积电生产的HBM4基础裸片价格约为SK海力士自产DRAM芯片的3至4倍，而到了HBM4E阶段，这一差距预计将进一步扩大。考虑到HBM产品中长期供应协议（LTA）占比极高，SK海力士很难将这部分成本转嫁给下游客户，因此寻求多元化代工伙伴成为必然选择。

此次SK海力士选择英特尔作为潜在代工厂，不仅能够降低生产成本，还能增强供应链的灵活性和稳定性。英特尔作为全球领先的半导体制造商，其EMIB等先进封装技术有望为HBM4E提供更好的解决方案。此外，SK海力士还计划在美国圣何塞设立专门的HBM架构设计团队，直接与美国客户对接，进一步优化产品设计并缩短开发周期。

值得注意的是，SK海力士并未完全放弃台积电，而是希望通过多供应商策略来平衡成本与风险。当前，SK海力士仍在评估台积电的CoWoS-S、CoWoS-L以及英特尔的EMIB等先进封装方案，以确保HBM4E在性能和成本之间取得最佳平衡。

业内人士认为，如果SK海力士与英特尔的合作得以落实，这将是一次具有里程碑意义的战略调整。一方面，它反映了HBM芯片制造成本压力的加剧；另一方面，也表明了半导体产业链中上下游企业合作模式的深化。未来，随着AI和高性能计算需求的持续增长，HBM市场的竞争格局或将发生新的变化。