SK海力士美国建厂投超40亿，瞄准AI存储芯片HBM生产

近日，韩国半导体巨头SK海力士在美国印第安纳州西拉斐特（West Lafayette）举行了先进封装生产基地的奠基仪式。根据规划，SK海力士将在当地投资超过40亿美元，建设一座面向人工智能（AI）应用的高性能存储器（HBM）先进封装工厂。

这座工厂预计将于2028年10月完成无尘室建设，并在2029年下半年启动生产。届时，韩国生产的先进晶圆将运至印第安纳州进行封装和测试，最终以HBM产品形式直接供应给美国客户。随着产能逐步释放，该基地预计将发展成为拥有1000余名员工的美国核心生产基地。

值得注意的是，SK海力士不仅关注生产能力建设，还计划同步构建"先进封装研发测试床（Testbed）"。这一举措旨在与客户、大学及商业合作伙伴共同开发下一代封装技术，并能够快速推进原型试制与性能验证。目前，已有超过100家涵盖材料、零部件及设备等领域的合作伙伴正在洽谈进驻事宜，为基地稳定运营提供有力支撑。

此外，SK海力士还与普渡大学签署了先进封装领域研发合作的谅解备忘录（MOU）。双方将重点研究包括HBM在内的下一代系统集成及先进封装技术，同时致力于培养和引进全球顶尖人才。这一合作将有助于夯实当地半导体生态系统，并推动相关技术研发向更高水平迈进。

SK海力士首席执行官郭鲁正表示："我们选择在美国建立先进封装生产基地，不仅是为了满足快速增长的AI存储需求，也是为了更好地服务我们的美国客户。通过与本地高校和企业的深度合作，我们将加速技术创新，并为全球客户提供更优质的产品和服务。"

此次在美国的投资是SK海力士全球战略布局的重要一步。除了美国项目外，该公司还在日本考虑合资建厂，以应对AI热潮带来的存储需求激增。SK集团董事长崔泰源透露，公司正在日本各地选址，首要考虑因素是电力和水资源条件，但尚未确定具体地点和合作伙伴。

业内人士分析认为，SK海力士在美国建厂的战略意义重大。首先，这将帮助缓解美国半导体产业在高端存储芯片领域的制造缺口；其次，通过本地化生产，可以更高效地响应客户需求，缩短供应链周期；最后，这也标志着SK海力士在全球范围内布局生产能力的战略升级，使其在全球半导体市场中占据更有利的位置。