英特尔高数值孔径EUV晶圆处理量破百万，先进制程量产能力再获验证

9月8日，英特尔在其晶圆代工部门宣布了一项重要进展：采用高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）技术的晶圆累计处理量已经超过100万片。这一数字涵盖了设备认证、测试研发以及部分产品层的量产环节，标志着英特尔正在将这项下一代光刻技术从实验室逐步推进到实际生产环境。

高数值孔径EUV是传统EUV光刻的进阶版本，其物镜数值孔径从0.33提升至0.55，可在晶圆上实现更精细的图形刻画，并有望简化部分复杂的多重曝光工艺。对于先进制程而言，这意味着更高的晶体管密度、更低的制造复杂度，以及芯片性能与能效的潜在提升。不过，这类设备的成本与工艺控制要求也显著更高。

据英特尔披露，其高数值孔径EUV晶圆处理总量已超过全球其他采用该技术的芯片制造商之和，进一步巩固了其在新型光刻赛道上的先发优势。目前，英特尔已在俄勒冈州部署至少三台高数值孔径EUV光刻机，并将其用于部分Intel 18A制程的生产。公司表示，采用该技术制造的Panther Lake处理器部分层，在套刻精度、生产吞吐量和设备可用率等关键指标上均达到预期。

需要指出的是，英特尔并未将整个18A制程全部切换至新设备，而是选择关键层进行试产，同时也在传统0.33数值孔径EUV设备上完成相同层次的加工，以便对两种技术路径的制造表现进行直接对比。结果显示，采用高数值孔径EUV生产的18A层在性能上已持平甚至优于传统EUV平台对应的层级。

英特尔认为，未来AI产品对制造技术的要求将持续攀升，不仅需要更高的性能和密度，更依赖稳定的量产能力和较低的采用门槛。通过率先将高数值孔径EUV推入生产环境，英特尔希望为客户提供更加成熟、可靠的先进制程选项。

这一进展也反映了英特尔在半导体制造领域的持续投入和技术领先。随着AI芯片需求的快速增长，高数值孔径EUV技术的应用将有助于英特尔更好地满足客户对高性能、低功耗芯片的需求，从而在激烈的市场竞争中保持优势。