ASML公布HyperNAEUV光刻机蓝图,5nm单次曝光瞄准2035年 10月9日,ASML与蔡司联合发布论文,正式公布下一代EUV光刻机Hyper NA的蓝图。该设备预计10年后推出,可实现5nm单次曝光,数值孔径提升至0.75,... 2026年10月09日 半导体/芯片 #ASML #蔡司 分享海报
英特尔高数值孔径EUV晶圆处理量破百万,先进制程量产能力再获验证 英特尔宣布其采用高数值孔径极紫外光刻(High-NA EUV)技术的晶圆累计处理量已突破100万片,涵盖设备认证、测试研发及部分产品层量产。这一里程碑标志着英特... 2026年09月11日 半导体/芯片 #高数值孔径 #晶圆处理量 分享海报