三星高通联手开发2.1D封装，有机桥技术引领芯片集成新方向

近日，韩国半导体巨头三星电机（SEM）与美国芯片厂商高通达成战略合作，双方将共同开发面向人工智能芯片的2.1D先进封装技术。这一合作标志着三星与高通在异构集成领域的深度协同，旨在通过创新封装技术推动AI芯片性能的进一步提升。

根据韩媒THE ELEC报道，此次合作的核心是开发一种基于嵌入式有机桥片的2.1D封装方案。该技术的设计思路与英特尔的Embedded Multi-die Interconnect Bridge（EMIB）相似，但采用了更经济实惠的有机材料来替代EMIB中的硅基桥片。这种材料选择不仅降低了制造成本，还规避了英特尔持有的EMIB专利限制。

从技术细节来看，三星电机开发的有机桥片本质上是一种采用RDL（重布线层）工艺制造的微型多层电路衬底。其目标参数包括：线宽/间距1.5~2μm、通孔尺寸4~5μm以及图案密度500~1000/mm。这些指标表明，该技术能够实现比传统FC-BGA封装更为精细的布线结构，从而显著提升芯片间的互连密度和I/O带宽。

"这项技术的关键在于通过有机材料实现高性能的芯片互连，"一位半导体行业分析师表示，"相比传统的硅基桥片，有机材料在制造成本和工艺复杂度上都有明显优势，这将有助于加速AI芯片的大规模应用。"

在封装结构方面，三星计划采用多层RDL堆叠在flip-chip ball grid array（FC-BGA）封装内的方式实现2.1D封装。这种设计不仅保持了现有FC-BGA封装的可靠性，还通过引入有机桥片实现了更高的集成密度。

值得注意的是，三星与高通的合作已经持续超过一年时间，双方在技术研发和产品认证方面都取得了显著进展。预计这项新技术将在未来两年内逐步应用于高通的AI芯片产品线中，为数据中心和边缘计算设备提供更强的算力支持。