中科院研制新型铁电隧穿结，电阻差1900万倍，耐久超千亿次 中国科学院半导体研究所团队成功研发一种新型铁电隧穿结器件，通过原子层微小滑移实现开关电阻高达1900万倍的差异，并能承受超过1000亿次反复开关。该成果突破了传... 2026年09月15日 半导体/芯片 #存储芯片 #存算一体 分享海报
3D芯片热潮，三类技术路线背后的商业逻辑与挑战 随着人工智能从一次性问答转向持续执行的「推理马拉松」任务，芯片设计正面临新的挑战。过去以峰值算力为核心的GPU架构，在处理长上下文和高频数据访问时暴露出性能瓶颈... 2026年08月06日 半导体/芯片 #AI芯片 #存算一体 分享海报
