KAIST团队突破二维半导体量产瓶颈，400次生长仅3次失败，良率99.3% 韩国科学技术院（KAIST）与初创公司TDS Innovation提出“刻蚀通量介导的单一中心成核”工艺，在2cm²基底上实现400个图案位置中397个成功生长... 2026年10月12日 半导体/芯片 #二维半导体 #芯片材料 分享海报
