英伟达HBM降层与3DDRAM布局背后，黄仁勋离任如何影响AI内存架构主导权 黄仁勋辞任后，英伟达在AI内存技术路线上的战略连续性引发关注。公司正推动HBM从12层转向8层堆叠、定制NVHBM接口，并联合台积电研发3D DRAM，以应对推... 2026年11月13日 半导体/芯片 #英伟达还能补全AI基础设施的内存拼图吗 #失去黄仁勋 分享海报
